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- [实用新型]集成电路-CN202121612219.9有效
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孙文会;N·贝赫拉
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美商新思科技有限公司
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2021-07-15
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2022-06-17
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G11C11/417
- 该集成电路包括被耦合至位线和第一字线的存储器单元阵列以及被耦合至位线和PMOS晶体管的N型金属氧化物半导体(NMOS)下拉结构。P型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管可以被耦合至第二字线，其中第二字线上承载的逻辑值基于第一字线上承载的逻辑值，并且PMOS晶体管被构造为基于第二字线上承载的低逻辑值，将NMOS下拉结构的多个漏极预充电至高逻辑值NMOS下拉结构可以被构造为基于第二字线上承载的高逻辑值对位线放电。
- 集成电路
- [发明专利]半导体器件-CN202211503949.4在审
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崔圭源;尹锡;李灿昊;金兑衡;白尚叶;李仁学
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三星电子株式会社
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2022-11-28
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2023-06-06
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G11C8/08
- 一种半导体器件包括：衬底，包括第一存储单元、在第一方向上与第一存储单元相邻的第二存储单元、以及在第二方向上与第一存储单元和第二存储单元相邻的比较器电路；真位线和互补位线，与第一存储单元和第二存储单元电连接并且从衬底上的第一布线层在第一方向上延伸；第一电源布线，位于第一布线层上，在真位线与互补位线之间在第一方向上延伸，并且与第一存储单元和第二存储单元电连接；第一字线和第二字线，从衬底上的第二布线层在第二方向上延伸；第一字线焊盘，位于第一布线层上，并且将第一存储单元与第一字线电连接；第二字线焊盘，位于第一布线层上，并且将第二存储单元与第二字线电连接；以及第一接地焊盘，位于第一布线层上。
- 半导体器件
- [发明专利]一种SRAM存储阵列-CN201510645040.6有效
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于跃;郑坚斌;诸月平
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展讯通信（上海）有限公司
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2015-09-30
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2018-08-10
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G11C11/413
- 本发明属于存储电路领域，尤其涉及一种SRAM存储阵列。一种SRAM存储阵列，包括N行M列的多个SRAM存储单元，多个SRAM存储单元的每一行的上部和下部分别设置一字线，于多个SRAM存储单元的每一行中第一设定位置的SRAM存储单元的栅极连接一位于上部的第一字线，第二设定位置的SRAM存储单元的栅极连接一位于下部的第二字线；于其中一字线被选中时，对与字线连接的多个SRAM存储单元的预定比例进行操作，其中N和M为正整数。以上技术方案提供一种新的SRAM存储阵列，通过将同一行的SRAM存储单元的字线拆分为两条，当只对同一行的部分SRAM存储单元进行操作时，可极大降低操作功耗。
- 一种sram存储阵列
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