[发明专利]增强半导体感光元件及其制造方法在审

专利信息
申请号: 94119827.8 申请日: 1994-12-06
公开(公告)号: CN1124410A 公开(公告)日: 1996-06-12
发明(设计)人: 郑盛文;骆增进 申请(专利权)人: 敦南科技股份有限公司
主分类号: H01L31/052 分类号: H01L31/052
代理公司: 柳沈知识产权律师事务所 代理人: 马莹
地址: 台湾省*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 一种增强半导体感光元件及其制造方法,其主要由矽基板10中的P-N杂质介面11、薄气化矽层20、第一层CVD氧化矽层30、第一层金属层40、第二层CVD氧化矽层50、第二层金属层60、护层70以及聚光层80构成,其制造方法为在感光元件护层上,镀上一附着增强剂,进行相关热处理后,于该护层上镀聚光层,再进行相关热处理后,再于聚光层上镀上光阻之后,进行曝光、显影及聚光层蚀刻,再作光阻去阻及聚光层固化的相关热处理后制成。
搜索关键词: 增强 半导体 感光 元件 及其 制造 方法
【主权项】:
1、一种增强半导体感光元件,其特征在于,该感光元件的护层上覆盖一层聚光层,利用聚光层可有效地导引入射光源进入感光元件,以提高感光元件的灵敏度及使聚光层在多角度内可增加感光有效面积。
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