[实用新型]感光器件无效

申请号：	201020258453.1	申请日：	2010-07-14
公开（公告）号：	CN201868432U	公开（公告）日：	2011-06-15
发明（设计）人：	陈渊康;邓利	申请（专利权）人：	世大光电(深圳)有限公司
主分类号：	H01L27/148	分类号：	H01L27/148;H04N5/335
代理公司：	深圳市博锐专利事务所 44275	代理人：	张明
地址：	518000 广东省深圳***	国省代码：	广东;44
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摘要：	本实用新型公开了一种感光器件，所述感光板的表面上设置有多个接收光信号的感光单元，所述的感光单元呈矩形状，并且所述感光单元的横向宽度大于感光单元的纵向长度，所述多个感光单元排列形成的多层感光单元在竖直方向上错位排列。本实用新型感光器件的感光单元的横向宽度较宽并远大于所述感光器件的感光单元的纵向长度，从而本实用新型感光器件的感光单元接收的横向方向的光量较多，感光单元的灵敏度极大的提高，并且本实用新型感光器的感光板上的相邻两层感光单元间的侧边错位排列，可以极大的增加图像的解析度。
搜索关键词：	感光器件
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【主权项】：

一种感光器件，包括感光板，其特征在于，所述感光板的表面上设置有多个接收光信号的感光单元，所述感光单元呈矩形状，所述多个感光单元排列形成多层，感光单元在竖直方向上错位排列。

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摘要：本发明公开了一种柔性电荷耦合器件，包括组成阵列的若干像素，像素自下而上依次包括柔性基底、栅极、半导体衬底、氧化物绝缘层、源极、漏极与石墨烯薄膜；源极和漏极水平间隔布置于氧化物绝缘层的上表面；石墨烯薄膜覆盖在源极、漏极及其之间的氧化物绝缘层的上表面；半导体衬底为SOI基片的顶层硅，制备方法简便。本发明与柔性基底配合，制成柔性器件，入射光照射到本发明的器件表面，被石墨烯和半导体衬底吸收。由于石墨烯的特殊性质，其通过电容耦合可有效收集载流子，产生的光电流信号直接从单个像素输出，实现本地随机读取，无需采用像素间转移电荷方式，从根本上改变电荷耦合器件的信号读出方式，提高系统响应速度、动态范围和可靠性。

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申请日： 2018-01-29 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L27/148
摘要：本发明公开了一种基于二维材料/绝缘层/半导体结构的低功耗电荷耦合器件，包括组成阵列的若干像素，像素自下而上依次包括栅极、半导体衬底、绝缘层、源极、漏极与二维材料薄膜层；源极和漏极水平间隔布置于绝缘层的上表面；二维材料薄膜层覆盖在源极、漏极及其之间的绝缘层的上表面。入射光照射到本发明的电荷耦合器件表面，被半导体衬底吸收。由于二维材料的特殊性质，其通过电容耦合可以有效收集载流子，产生的光电流信号直接从单个像素结构输出，实现本地读取、随机读取，无需采用像素间横向转移电荷方式，从根本上改变电荷耦合器件的信号读出方式，提高系统整体响应速度、线性动态范围和可靠性。二维材料异质结可以有效降低器件暗电流。

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摘要：本实用新型涉及固态图像传感器和成像系统。固态图像传感器包括：衬底，衬底包括：第一杂质类型的第一衬底层；设置在第一衬底层的表面上的第二杂质类型的第二衬底层，该第二衬底层包括：基本上沿着衬底的中心线布置的中心沟道，其中中心沟道基本上由以下项界定：与水平中心线的第一侧相邻的第一杂质类型的第一势垒区，以及与水平中心线的第二侧相邻的第一杂质类型的第二势垒区；以及布置成行和列的多个光敏区；与中心沟道相邻的第二杂质类型的漏极区，其中中心沟道电耦接到漏极区；以及设置在中心沟道上方的中心栅极。本实用新型解决的技术问题是改进固态图像传感器和成像系统，实现的技术效果是提供改进的固态图像传感器和改进的成像系统。

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摘要：本实用新型公开了一种具有汇聚滤波功能的单光子偏振成像阵列，结构为二维周期性排列的偏振探测单元，每个偏振探侧单元包括单光子探测器组及4个不同偏振方向的汇聚耦合结构，偏振方向分别为水平、右倾45度、垂直和左倾45度。汇聚耦合结构按入射光经过先后为序是上层金属光栅层，透明介质汇聚层，金属阻挡层和下层金属反射出光层。本实用新型的优点在于同时集偏振分辨、汇聚耦合及滤波三大功能为一体，并能够与各种单光子探测器高度集成。这对量子信息中的偏振编码、单光子偏振成像技术等领域具有巨大的应用价值。

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摘要：本发明提供固体摄像装置和电子设备。该固体摄像装置具有像素区域，其包括受光元件、传输门、浮置扩散区域以及缓冲晶体管；以及布线，其配置在第N层的布线层中，并且将所述浮置扩散区域和所述缓冲晶体管电连接，其中，N是2以上的整数。

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摘要：本实用新型涉及电子倍增电荷耦合器件的背面结构，背面结构包括EMCCD芯片、电极引出区、光敏区、存储增益区、离子注入区、增透膜和金属屏蔽层，电极引出区设置于EMCCD芯片背面两侧，电极引出区上间隔设有压焊图形，EMCCD芯片背面的光敏区和存储增益区位置在电极引出区之间，光敏区和存储增益区内部都有通过低能离子注入形成的离子注入区，在光敏区表面的增透膜，能够降低驻波效应、减少反射光线；在存储增益区表面的金属屏蔽层，能够防止入射光在存储增益区表面发生透射。本实用新型可以用于改善电子倍增电荷耦合器件的光电转换效率，同时还能够降低器件制作成本，并且提高了产品的成品率。

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申请日： 2017-01-16 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L27/148
摘要：本发明公开了一种具有汇聚滤波功能的单光子偏振成像阵列，结构为二维周期性排列的偏振探测单元，每个偏振探侧单元包括单光子探测器组及4个不同偏振方向的汇聚耦合结构，偏振方向分别为水平、右倾45度、垂直和左倾45度。汇聚耦合结构按入射光经过先后为序是上层金属光栅层，透明介质汇聚层，金属阻挡层和下层金属反射出光层。本发明的优点在于同时集偏振分辨、汇聚耦合及滤波三大功能为一体，并能够与各种单光子探测器高度集成。这对量子信息中的偏振编码、单光子偏振成像技术等领域具有巨大的应用价值。

具有不对称栅极的提供双向电荷转移的矩阵图像传感器-201380023055.8
发明人： F·迈耶 -专利权人： E2V半导体公司
申请日： 2013-04-11 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L27/148
摘要：本发明涉及一种图像传感器，尤其是时间延迟和累积(TDI)传感器。根据本发明，该传感器包括成行的光电二极管，成行的光电二极管与邻近光电二极管的成行的栅极交替。栅极是不对称的，在一侧邻近光电二极管并且在另一侧包括向另一个光电二极管延伸的窄栅极突指(20)。由于其非常窄的宽度，突指赋予电荷的转移方向性。在两个连续的光电二极管(PH1i、PH2i)之间有两个栅极(G2Bi、G2Ai)，两个栅极邻近两个光电二极管，第一栅极的窄突指向第一光电二极管伸出，第二栅极的窄突指向第二光电二极管伸出。可以通过中性化第一栅极或第二栅极而在传感器中选择电荷转移的方向，另一个栅极接收使得电荷能够从一个光电二极管向另一个转移的交替电势。

制作光敏区布线层的方法-201610961116.0
发明人：邓涛;黄建;韩恒利;方刚 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L27/148
摘要：本发明公开了一种制作光敏区布线层的方法，该方法在多晶硅层制作好后，通过激活操作对腐蚀液进行激活，然后将激活后的腐蚀液用于多晶硅层的腐蚀操作；本发明的有益技术效果是：提出了一种制作光敏区布线层的方法，该方法能改善湿法腐蚀的腐蚀稳定性，保证光敏区布线层的腐蚀效果，提高器件性能。

带聚酰亚胺垫层的帧转移可见光CCD-201610993256.6
发明人：张故万;罗春林;伍明娟 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2016-11-11 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L27/148
摘要：一种带聚酰亚胺垫层的帧转移可见光CCD，所述帧转移可见光CCD由衬底层、二氧化硅层、氮化硅层、多晶硅层、硼磷硅玻璃层、氮化钛层、钛层、铝层和聚酰亚胺垫层组成；本发明的有益技术效果是：提出了一种带聚酰亚胺垫层的帧转移可见光CCD，通过在铝层和氮化钛层之间加入钛层，有效提高了铝层与下层结构的附着性，避免了起层现象出现。

能够增强电荷耦合元件紫外响应能力的光学薄膜及制备-201410165934.0
发明人：陶春先;崔潇;何梁;洪瑞金;张大伟 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2014-04-23 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： H01L27/148
摘要：本发明提供了一种能够增强电荷耦合元件紫外响应能力的光学薄膜，包括镀在电荷耦合元件的紫外接收面上的底部反射镜、镀在底部反射镜表面的荧光材料层、以及镀在荧光材料层表面的顶部反射镜，其中，顶部反射镜从荧光材料层向外依次由九层高折射率材料层和八层低折射率材料层交替重叠构成，底部反射镜依次由六层高折射率材料层和五层低折射率材料层交替重叠组成。本发明还提供了该光学薄膜的制备方法。本发明所提供的光学薄膜能够增强CCD的紫外响应能力，并且能够消弱荧光材料层的自吸收，增加荧光材料层的发光效率和CCD接收的有效发光能量，且该光学薄膜的制备方法较为简单，成本较低，易于实现批量生产，适合工业应用。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的

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[实用新型]感光器件无效

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