[发明专利]利用沟槽平面化方法在绝缘体上键合亚微米硅无效

申请号：	94115417.3	申请日：	1994-08-17
公开（公告）号：	CN1050929C	公开（公告）日：	2000-03-29
发明（设计）人：	Ｃ·Ｊ·麦克拉克伦;Ａ·Ｌ·里沃利	申请（专利权）人：	哈里斯公司
主分类号：	H01L21/08	分类号：	H01L21/08;H01L21/84
代理公司：	中国专利代理(香港)有限公司	代理人：	吴大建
地址：	美国佛***	国省代码：	暂无信息
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摘要：	利用沟槽腐蚀方法和氮化硅层２０，为硅岛１８提供可控厚度和抛光停止层，在绝缘衬底８上面键合硅，提供具有均匀厚度的硅岛１８。
搜索关键词：	利用沟槽平面化方法绝缘体上键合亚微米
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【主权项】：

1、一种在绝缘衬底上形成硅的方法，包括以下步骤：提供支撑片和器件衬底，该支撑片有上表面和下表面，而器件片具有上表面和下表面，所述器件片的下表面相对地设置在所述支撑片的上面，一层氧化层设置在支撑片和器件片之间，将每片的相对表面粘接到各器件的相对表面上；在器件片的上表面上形成多个不同厚度的多个器件区以限定随着竖起的侧壁的多个器件区，所述多个器件区是相互隔开的，而各个器件区有一个与氧化层接触的下表面，一个与氧化层隔开的上表面，一个由下表面延伸到上表面的竖起的侧壁，以及在器件区之间露出的部分的氧化层，且所述的上表面是至少两个器件区的厚度；用有厚度的共形的连续不间断的氮化硅抛光停止层覆盖器件区和露出的氧化层，其中在露出的氧化层上的氮化硅停止抛光层厚度与抛光层的厚度一致；在形成图形或移去氮化硅停止抛光层之前，以下述步骤进行平面化，所述步骤，基本上是抛光所述的连续不间断的抛光层和所述器件区至氧化层上的抛光层厚度；其中所述的平面化步骤，基本上由以下步骤组成：在第一压力下除去器件区上的氮化硅停止抛光层，并除去器件区的侧壁上的抛光层，接着在小于第一压力的第二压力下抛光以减小器件区之间的厚度至器件之间的氮化硅停止抛光层的厚度、其中器件衬底厚度是减小到1至3微米小之间；所说抛光步骤包括在第一抛光压力下涂敷稀浆，接着，在第二抛光压力下涂敷稀浆。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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[发明专利]利用沟槽平面化方法在绝缘体上键合亚微米硅无效

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