[发明专利]微波等离子化学汽相淀积装置无效

专利信息
申请号: 89100619.2 申请日: 1989-02-01
公开(公告)号: CN1029994C 公开(公告)日: 1995-10-11
发明(设计)人: 越前裕 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: C23C16/50 分类号: C23C16/50;C23C16/52
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 刘建国
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种微波等离子化学汽相淀积装置(MW-PCVD装置),包括真空容器,抽气装置。微波导入装置。微波传输回路包括共振腔,与两个匹配回路形成整体。MW-PCVD装置能在高运行率下运行,改进工作效率,降低A-Si元件的制造成本,降低用MW-PCVD装置淀积薄膜时,各元件间的性能偏差。
搜索关键词: 微波 等离子 化学 汽相淀积 装置
【主权项】:
1.一种用于在基片上形成淀积膜的微波等离子化学汽相淀积(CVD)装置,包括一个大致密封的真空容器,它具有一个成膜容器和一个共振腔;该共振腔构成微波传输回路的一部分;一个在其中产生等离子体的微波传输钟罩,所述微波传输钟罩与所述共振腔联系;所述微波传输钟罩提供有用于向其中导入产生原料气体的等离子体的装置;所述微波传输钟罩被连接到成膜容器;所述成膜容器具有一个基片夹架并提供有用于向其中导入成膜原料气体的装置;抽气装置,用于抽出真空容器内的空气;以及微波导入装置,用于引导微波通过所述微渡传输回路进入所述共振腔,以在所述微波传输钟罩内产生等离子;该微波等离子CVD装置的特征在于,所述共振腔与两个匹配回路整体地形成,匹配回路其中之一个包括一个用于改变上述共振腔长度的短路器,且另一个包括一对滑动匹配膜片。
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  • 本发明公开一种半导体工艺设备,涉及半导体制造技术领域。该半导体工艺设备,包括腔体、晶舟、射频缓冲室和多个射频电极组,腔体具有反应腔,晶舟设置于反应腔内,晶舟具有多个晶圆放置位,晶圆放置位层叠且间隔设置,晶圆放置位用于放置被加工晶圆。射频缓冲室开设有多个第一气孔,第一气孔沿晶圆放置位层叠的方向排布,且射频缓冲室通过第一气孔与反应腔连通。射频电极组设置于射频缓冲室内,且射频电极组沿晶圆放置位层叠的方向排布。该方案能解决半导体工艺设备不同位置的晶圆表面的成膜厚度不一致的问题。
  • 反应腔室及半导体设备-202210743888.2
  • 白云强;张源;李金龙;张洪;张文;谷孝刚;李补忠;郑建宇 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2022-06-28 - 2023-09-08 - C23C16/50
  • 一种反应腔室及半导体设备,反应腔室包括:腔体;承载装置,用于向腔体内传输晶片,承载装置包括多个从上至下依次间隔设置的承载板,多个承载板中的至少部分承载板的上表面用于承载晶片,多个承载板中的至少部分承载板内设有气体通道,气体通道贯穿承载板的下表面;进气机构,进气机构穿过腔体的侧壁,且能够相对于腔体移动,以使进气机构能够与气体通道活动连接,进气机构用于与外部气源连通,以向气体通道内通入气体;驱动机构,驱动机构与进气机构连接,用于驱动进气机构与气体通道连通或断开。该反应腔室能够提高布气均匀性,提高气体的利用率。
  • 加热炉体和半导体设备-201910807519.3
  • 郝晓明;郑建宇;赵福平;盛强 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2019-08-29 - 2023-09-08 - C23C16/50
  • 本发明提供一种加热炉体和半导体设备,该加热炉体包括:环形保温体;以及相互独立的多个加热结构,沿环形保温体的轴向依次设置在环形保温体的内侧;并且,有至少一个加热结构包括多个加热分部,且与环形保温体的周向上划分的多个分区一一对应,其中至少两个加热分部在同一时间辐射出的热量不同。本发明提供的加热炉体,其能够在同等或较少的加热功率条件下,提高加热效率,缩短加热时间,同时又能够提高工艺均匀性。
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