[其他]氮基陶瓷材料无效

专利信息
申请号: 85101384 申请日: 1985-04-01
公开(公告)号: CN85101384A 公开(公告)日: 1987-05-20
发明(设计)人: 托米·克拉斯·艾克斯特罗姆;尼尔斯·安德斯·英格;尔斯特罗姆 申请(专利权)人: 桑特拉德有限公司
主分类号: C04B35/58 分类号: C04B35/58
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利代理部 代理人: 罗英铭,刘元金
地址: 瑞士卢塞恩州*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明论述烧结氮基陶瓷,其中有多型Si-Al-O-N相和β型和(或)α型Si-Al-O-N相为主要组分。还含有晶间相,依组成复含结晶AlN或Al2O3。其性质,如耐磨,韧性等,可通过添加硬质耐高温要素和(或)须状材料改进。涂复硬质,惰性,耐磨涂层是另一种改进方法。这种材料适用于抗热冲击,高机械强度,高导热要求的场合。特别适用于切削工具,发动机部件,耐磨部件,热交换器,或电子工业的衬底材料。
搜索关键词: 陶瓷材料
【主权项】:
1、以氮化硅、氮化铝和氧化铝为基础的陶瓷材料,其特征为,此种陶瓷材料包含有多型的Si-Al-O-N和一种α型Si-Al-O-N相和(或)一种β型的Si-Al-O-N相和(或)一种结晶的AlN相和(或)Al2O3和(或)一种可部分结晶的晶间相。
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  • 氮化铝陶瓷材料及其制备方法和应用-202310786544.4
  • 黄群;杨金;刘圣;佘鹏程;尹联民 - 中国电子科技集团公司第四十八研究所
  • 2023-06-29 - 2023-09-29 - C04B35/582
  • 本发明公开了一种氮化铝陶瓷材料及其制备方法和应用,该制备方法包括以下步骤:将微米级氮化铝粉体、单层石墨烯和烧结助剂混合,球磨,制得混合粉末;将混合粉末与成型剂混合,模压成型,制得粉末胚体;对粉末胚体进行烧结,得到氮化铝陶瓷材料。本发明制得的氮化铝陶瓷材料的相对密度达到98.8%以上,体电阻率在109Ω·cm~1011Ω·cm,热导率超过200W m1K‑1,具有成本低廉、缺陷结构少、热导率高和电阻率可调等优点,是一种性能优异的新型电介质层材料,可以用于制备性能优异的静电卡盘,使用价值高,应用前景好,有利于实现静电卡盘的广泛应用。
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