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[发明专利]一种免焊模块封装结构及其双面散热模块封装结构-CN202310986699.2有效
发明人：周洋;袁雄 -专利权人： 合肥阿基米德电子科技有限公司
申请日： 2023-08-08 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种免焊模块封装结构及其双面散热模块封装结构，属于电力电子芯片封装技术领域，包括散热器、覆铜陶瓷板和集成芯片；散热器上设有第一纳米金属柱矩阵；覆铜陶瓷板的导热铜层上设有与第一纳米金属柱矩阵交叉互连的第二纳米金属柱矩阵，覆铜陶瓷板的电连铜层上设有功率端子、信号端子和第三纳米金属柱矩阵；集成芯片包括P极硅衬底，P极硅衬底的两侧分别设有N极芯片单元和与第三纳米金属柱矩阵交叉互连的第四纳米金属柱矩阵。包括金属缓冲块和两侧的免焊模块封装结构，N极芯片单元上设有第五纳米金属柱矩阵，金属缓冲块的两侧设有与第五纳米金属柱矩阵交叉互连的第六纳米金属柱矩阵。免焊接，无导热材料，具有高可靠性和低热阻性。
一种模块封装结构及其双面散热

[发明专利]一种免焊接模块封装结构-CN202311040154.9有效
发明人：周洋;袁雄 -专利权人： 合肥阿基米德电子科技有限公司
申请日： 2023-08-18 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种免焊接模块封装结构，属于电力电子芯片封装技术领域，包括模块主体和散热器，模块主体包括绝缘压板和复合基板，绝缘压板包括压板部和设有第一微米线的连接部，复合基板包括陶瓷基底，陶瓷基底一侧的板面上设有第二微米线和电连铜层，第一微米线和第二微米线静摩擦连接，压板部和电连铜层之间通过绝缘压块和PCB电路板压紧有芯片组件，芯片组件与PCB电路板和电连铜层电连，陶瓷基底另一侧的板面上设有第三微米线，散热器的导热面上设有用于与第三微米线静摩擦连接的第四微米线。采用微米线互联方式替代传统焊接工艺，能够有效避免焊接过程中的热应力和形变翘曲等负面影响，以及高温对芯片造成损坏，可实现低热阻、高功率循环可靠性。
一种焊接模块封装结构

[发明专利]复合陶瓷基板、覆铜陶瓷基板及制备方法和应用-CN202311093069.9在审
发明人：周洋;袁雄 -专利权人： 合肥阿基米德电子科技有限公司
申请日： 2023-08-29 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C04B35/581 文献下载
摘要：本发明提供了一种复合陶瓷基板、覆铜陶瓷基板及制备方法和应用，属于半导体器件技术领域。本发明提供的复合陶瓷基板包括氮化铝基体以及分布在所述氮化铝基体中的氮化硅网状支架；所述氮化硅网状支架由多个氮化硅片形成，单个所述氮化硅片的厚度为0.2~1mm。本发明提供的复合陶瓷基板兼具氮化铝的高导热性和氮化硅的高抗弯强度，在较薄厚度条件下即可满足使用要求，且整体成本较低。
复合陶瓷制备方法应用

[发明专利]一种预成型焊片及其制备方法与应用-CN202311082704.3在审
发明人：周洋;冯铮;袁雄 -专利权人： 合肥阿基米德电子科技有限公司
申请日： 2023-08-28 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本发明提供了一种预成型焊片及其制备方法与应用，属于功率电子器件封装技术领域。本发明提供的预成型焊片由金属支撑网、填充在所述金属支撑网孔隙中的核壳结构纳米颗粒与复合微米线经电磁核壳压制而成，所述金属支撑网由毫米级的金属丝形成，所述核壳结构纳米颗粒包括铜纳米颗粒、包覆在所述铜纳米颗粒表面的第一金属层以及包覆在所述第一金属层表面的有机薄膜，所述复合微米线包括铜微米芯材以及包覆在所述铜微米芯材表面的第二金属层。本发明提供的预成型焊片能够避免芯片在回流时出现的倾斜问题，且利用其焊接后的器件在高温服役条件下具有良好的可靠性。
一种成型及其制备方法应用

[发明专利]一种新型集成栅极电阻的IGBT结构-CN202311055227.1在审
发明人：訾彤彤;袁雄 -专利权人： 合肥阿基米德电子科技有限公司
申请日： 2023-08-22 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开一种新型集成栅极电阻的IGBT结构，涉及IGBT结构技术领域，包括栅极金属、栅极电阻和元胞区，元胞区内具有多晶硅栅，栅极电阻位于栅极金属与多晶硅栅之间，栅极金属与栅极电阻之间、栅极电阻与元胞区之间均设置有电介质层，电介质层中设置有用于连接栅极金属和栅极电阻的第一接触孔，以及用于连接栅极电阻和多晶硅栅的第二接触孔；本发明中两层金属结构间隔设置在元胞区的上方，栅极电阻与元胞区不在一个平面上，可以有效降低芯片面积；本发明中栅极金属、栅极电阻和元胞区自上而下依次垂直设置，电流纵向传递，使得电流密度增加，可以提高芯片性能。
一种新型集成栅极电阻 igbt 结构

[发明专利]一种IGBT模块及其制造工艺-CN202311013017.6在审
发明人：周洋;袁雄 -专利权人： 合肥阿基米德电子科技有限公司
申请日： 2023-08-14 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L23/433 文献下载
摘要：本发明公开一种IGBT模块及其制造工艺，属于电力电子制造和封测技术领域，包括顺次连接的铜热沉、铜基板、BPSG绝缘层、铜层和芯片，铜热沉朝向铜基板的连接面设置有第一铜纳米毛刺，铜基板朝向铜热沉的连接面设置有第二铜纳米毛刺，第一铜纳米毛刺与第二铜纳米毛刺直插连接，铜热沉内设置有竖向分布的第一冷却流道，铜基板内设置有横向分布的第二冷却流道，第一冷却流道和第二冷却流道在铜基板与铜热沉连接后相通，冷却介质在第一冷却流道和第二冷却流道内流通。本发明利用第一铜纳米毛刺和第二铜纳米毛刺能够提高铜热沉和铜基板的连接紧密度，降低热阻，提高热传递效果，利用第一冷却流道和第二冷却流道能够实现靠近热源的散热，进一步提高散热效果。
一种 igbt 模块及其制造工艺

[发明专利]一种近热点IGBT模块散热和封装结构-CN202210406947.7在审
发明人：孙亚萌;马坤;宋一凡;周洋;刘胜 -专利权人： 合肥阿基米德电子科技有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明提供一种近热点IGBT模块散热和封装结构，涉及电子封装技术领域，包括封装底板，所述封装底板上端表面一体化固定连接有封装外框，所述封装底板上端四角处分别开设有四个模块安装孔，所述封装底板上且位于封装外框内设置有DBC散热组件，所述DBC散热组件上端表面分别通过焊料层设置有IGBT芯片、二极管和两排连接母线，所述封装外框上方设置有封装盖板，所述封装盖下边框下端一体化固定连接有封装盖下边框，本方案通过在IGBT芯片和二极管下端设置的DBC散热组件，并通过上端的封装盖板下端的封装盖下边框与封装外框之间胶合固定，通过连接母线穿过上端的母线穿孔与连接端子相连接，再通过连接端子与外界设备连接，至此，完成封装结构。
一种热点 igbt 模块散热封装结构

[发明专利]一种嵌入式双面散热MOSFET模块封装结构-CN202210419387.9有效
发明人：宋一凡;马坤;孙亚萌;周洋;刘胜 -专利权人： 合肥阿基米德电子科技有限公司
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明提供一种嵌入式双面散热MOSFET模块封装结构，涉及电力电子功率模块封装技术领域，包括DBC组合层和MOSFET芯片，DBC组合层包括有DBC陶瓷层，DBC陶瓷层上表面两侧分别一体化设置有安装间隔，每个安装间隔内部分别开设有方形凹槽，每个方形凹槽内部均通过第一铜片组和第二铜片组安装有MOSFET芯片，通过本发明的封装结构，能够大幅提高模块集成度，降低模块体积40%以上，同时实现了平面互连，使双面散热得以实现，大幅提高了模块的散热能力，从而有效解决了因典型功率模块各组件分立封装，体积大，集成度低，需要对封装结构进行合理设计优化以实现器件的高散热性能和低能耗问题。
一种嵌入式双面散热 mosfet 模块封装结构

[发明专利]一种IGBT模块pin-fin底板散热结构-CN202210381275.9有效
发明人：孙亚萌;宋一凡;马坤;周洋;刘胜 -专利权人： 合肥阿基米德电子科技有限公司
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明提供一种IGBT模块pi n‑fi n底板散热结构，涉及电力电子芯片制造和封测技术技术领域，包括主体基板，所述主体基板上表面焊接连接有DBC板，所述DBC板上表面分别安装有IGBT芯片和FRD芯片，所述主体基板下表面焊接安装有通风组件，所述通风组件下端设置在夹层基板的上表面，所述夹层基板与主体基板之间设置有通风组件，通过本发明中采用热流体自增压技术，利用交错与打孔方式，流体不断叠加使流速增加而分流的位置，同样也会有其他的流体流入，使流速保持，进而使得本申请能够有效解决因IGBT器件叠层结构相对复杂界面较多导致热阻变大，导致不能及时降温的问题，并且对针翅的优化设置，相比于现有技术中的平直翅片，本申请中的针翅具有较好的散热能力。
一种 igbt 模块 pin fin 底板散热结构

[发明专利]一种自动温度控制功率芯片结构及制备方法-CN202210248907.4有效
发明人：周洋;马坤;宋一凡;孙亚萌 -专利权人： 合肥阿基米德电子科技有限公司
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L23/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种自动温度控制功率芯片结构及制备方法，属于功率电子器件封装技术领域，利用半导体珀尔帖效应在绝缘栅双极型晶体管底面通过定向掺杂形成阵列式P‑N热电偶结构，通过给阵列式P‑N热电偶结构施加反向电压，当热电偶通入直流电流时，根据直流电通入的方向不同，会在电偶的结点处产生吸热和放热反应。从而保持芯片功能区温度保持较低温度，同时因为阵列结构，能够精确控制芯片温度均匀性，实现芯片分区控温，增强芯片直接散热和均热能力。
一种自动温度控制功率芯片结构制备方法

[发明专利]具有散热结构的电力电子器件IGBT模块及制备方法-CN202210248914.4有效
发明人：孙亚萌;马坤;宋一凡;周洋 -专利权人： 合肥阿基米德电子科技有限公司
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L23/473 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有散热结构的电力电子器件IGBT模块及制备方法，属于电力电子制造和封测技术领域。所述具有散热结构的电力电子器件IGBT模块包括：键合线、IGBT芯片、FRD芯片、焊料层、DBC基板、导热脂层、散热结构以及微泵；所述散热结构包括两面加工有AlSiC介质层的微流道铜基板。所述AlSiC介质层通过激光冲击强化的制造工艺加工到微流道铜基板的两侧，使得本发明所述散热结构具有较低的热膨胀系数、高强的热传导系数和廉价的成本，可以高效的将模块产生的热量耗散，实现快速降温。本发明解决了现有IGBT模块散热系统重量大、制作成本高且散热性能弱的问题，能够有效缓解散热器散热不均衡问题，从而提升器件可靠性及使用寿命。
具有散热结构电力电子器件 igbt 模块制备方法

[发明专利]一种自动温度控制的IGBT模块封装结构-CN202210248897.4有效
发明人：周洋;孙亚萌;马坤;宋一凡 -专利权人： 合肥阿基米德电子科技有限公司
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L23/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种自动温度控制的IGBT模块封装结构，包括：由下至上依次设置的热沉、TIM、铜基板、焊料层和覆铜陶瓷基板；所述覆铜陶瓷基板上还设置有二极管和IGBT芯片；所述热沉、所述TIM、所述铜基板、所述焊料层和所述覆铜陶瓷基板内贯穿有微通道；所述覆铜陶瓷基板、所述铜基板、所述热沉以及所述微通道构成固‑液‑气三相散热系统。本发明能够大幅提高IGBT模块散热系统的性能，且不需要外加液泵，能解决现有技术中IGBT模块TIM散热瓶颈问题，同时实现芯片温度精确控制和快速冷却，从而提升器件可靠性及使用寿命。
一种自动温度控制 igbt 模块封装结构

[发明专利]一种IGBT模块封装结构-CN202210248937.5有效
发明人：周洋;宋一凡;孙亚萌;马坤 -专利权人： 合肥阿基米德电子科技有限公司
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明涉及一种IGBT模块封装结构。属于功率半导体器件技术领域，本发明通过设置包括共P极层及成阵列排列的N极层单元的结构，实现IGBT模块封装结构中FRD芯片和IGBT芯片的集成化，提高了IGBT模块封装结构的集成度，减小了IGBT模块封装结构的体积。
一种 igbt 模块封装结构

[发明专利]一种液态金属锡辅助纳米银烧结工艺-CN202210407223.4在审
发明人：马坤;孙亚萌;宋一凡;周洋;刘胜 -专利权人： 合肥阿基米德电子科技有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： B23K1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种液态金属锡辅助纳米银烧结工艺，具体按照如下操作步骤：S1：纳米银颗粒的制备，S2：纳米银焊膏的制备，S3：纳米锡纳米银复合焊膏的制备,S4：将有机载体溶入有机溶剂，本发明通过在纳米银膏体内无团聚的分散添加金属锡颗粒，借助金属锡辅助纳米银烧结，可有效提高银烧结膏热学，电学，力学性能可靠性，可应用于高温环境，有效的降低烧结体二次烧结时组织的收缩，提升连接强度，提高导热率及使用寿命的。
一种液态金属辅助纳米烧结工艺

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