[发明专利]一种折叠式立体结构MoS2在审

专利信息
申请号: 202310982407.8 申请日: 2023-08-04
公开(公告)号: CN116825643A 公开(公告)日: 2023-09-29
发明(设计)人: 杨振宇;刘祥凯;单福凯;郝丹丹;黄浩 申请(专利权)人: 青岛大学
主分类号: H01L21/34 分类号: H01L21/34;H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L29/24
代理公司: 青岛鼎丞智佳知识产权代理事务所(普通合伙) 37277 代理人: 韩耀朋
地址: 266000 *** 国省代码: 山东;37
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明涉及一种折叠式立体结构MoS2场效应晶体管制备方法,包括如下制备步骤:S1.衬底准备;S2.紫外光刻“凸”字形金属埋栅图形;S3.真空热蒸镀金属埋栅;S4.机械剥离MoS2薄膜;S5.MoS2薄膜分割;S6.电子束曝光源漏电极;S7.真空热蒸镀源漏电极。本发明采用非平面的折叠式立体“凸”字形埋栅结构,增加了垂直方向的有效沟道长度,从而抑制极小尺寸场效应晶体管的短沟道效应;配合金半接触埋栅架构,无需额外原子层沉积栅极绝缘电介质,保证了MoS2沟道界面质量,维持器件电学性能,提高金属栅极/MoS2肖特基界面质量,解决了沟道界面杂质散射造成的极小尺寸二维半导体场效应晶体管性能退化。
搜索关键词: 一种 折叠式 立体 结构 mos base sub
【主权项】:
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