[发明专利]具有深槽结构的MEMS器件的表面图形制备方法在审
申请号: | 202310947083.4 | 申请日: | 2023-07-31 |
公开(公告)号: | CN116946968A | 公开(公告)日: | 2023-10-27 |
发明(设计)人: | 王飞飞;李健飞;徐宝盈 | 申请(专利权)人: | 赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00;G03F1/80 |
代理公司: | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人: | 李娇 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京经济技术开发*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明公开了一种具有深槽结构的MEMS器件的表面图形制备方法,属于半导体加工技术领域。该制备方法包括:提供一表面具有深槽的半导体基底;在半导体基底表面形成第一光刻胶层,以使得深槽内填充第一光刻胶层;去除位于深槽外的第一光刻胶层;在半导体基底表面及深槽内的第一光刻胶层上形成第二光刻胶层;对第二光刻胶层进行图形化处理,以在第二光刻胶层上形成所需图形;以第二光刻胶层为掩膜,对半导体基底进行刻蚀,以在半导体基底的表面形成所需图形;去除第一光刻胶层和第二光刻胶层。该制备方法解决了在具有深槽结构的MEMS器件的表面形成图形的过程中,光刻胶涂覆困难的问题。 | ||
搜索关键词: | 具有 结构 mems 器件 表面 图形 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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