[发明专利]一种二维磁性半金属-半导体开关及其应力调控方法在审
| 申请号： | 202310782522.0 | 申请日： | 2023-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN116847718A | 公开（公告）日： | 2023-10-03 |
| 发明（设计）人： | 田晓庆;段璟奕 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H10N50/85 | 分类号： | H10N50/85;H10N50/20;H10N35/00;H10N35/85 |
| 代理公司： | 北京市诚辉律师事务所 11430 | 代理人： | 吴敏;耿慧敏 |
| 地址： | 518060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请涉及二维半导体材料性能调控技术领域，特别涉及一种二维磁性半金属‑半导体开关及其应力调控方法，该二维磁性半金属‑半导体开关包括锡原子层和硫原子层；锡原子层和硫原子层构成二硫化钒层；二硫化钒层中掺杂有钒原子；掺杂有钒原子的二硫化钒层转变为具有半金属特性的磁性材料。本申请提供的二维磁性半金属‑半导体开关及其应力调控方法，通过钒元素掺杂改变单层二硫化钒的电子结构，通过施加双轴应力进一步调控其电学和磁学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 磁性 金属 半导体 开关 及其 应力 调控 方法 | ||
【主权项】：
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