[发明专利]一种耐高冲击混合电路组装方法在审
| 申请号： | 202211205252.9 | 申请日： | 2022-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN115360103A | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 侯育增;夏俊生;魏刚剑;王然;傅玉豪 | 申请（专利权）人： | 华东光电集成器件研究所 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/60;H01L21/52;H01L21/58 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所(普通合伙) 34113 | 代理人： | 杨晋弘 |
| 地址： | 233030 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种耐高冲击混合电路组装方法，该电路包括固定有基板的外壳，基板表面设有的凹槽内连接片式电子元器件，片式电子元器件表面与基板表面共面，基板、片式电子元器件表面的键合区通过键合线电性互连；组装方法包括以下步骤：根据电路设计在基板上开设凹槽，凹槽开口尺寸略大于片式电子元器件外轮廓；将基板粘贴在外壳的底座上；片式电子元器件粘贴在凹槽内，使片式电子元器件表面与基板表面共面；将基板、片式电子元器件表面的键合区进行键合线互连操作，形成耐高冲击混合电路。本发明降低键合的键合线长度，相对提高键合线的抗侧倒、侧偏的能力，同时加强片式电子元器件与基板的连接牢固性，总体提高混合电路的耐高冲击性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 冲击 混合 电路 组装 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
