[发明专利]一种半导体结构及制备方法在审
申请号: | 202210945139.8 | 申请日: | 2022-08-08 |
公开(公告)号: | CN115295493A | 公开(公告)日: | 2022-11-04 |
发明(设计)人: | 肖文青;黄峰;李钊;黄永彬;杨凯 | 申请(专利权)人: | 上海积塔半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/8234 | 分类号: | H01L21/8234;H01L27/088 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 201306 上海市浦东新区中国上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种半导体结构及制备方法,该半导体结构包括半导体衬底,半导体衬底中形成有浅沟槽,隔离氧化层填充于浅沟槽中,低压区的隔离氧化层的上表面高于所述高压区的隔离氧化层的上表面,从而在形成第一栅氧层及第二栅氧层后,使得高压区隔离氧化层上第一栅氧层的上表面略高于低压区隔离氧化层的上表面,从而提升整个结构表面的平整度。该制备方法利用现有制程中的第一光刻版,结合涂覆负光刻胶层的方法,使高压区的隔离氧化层暴露出来,同时对低压区形成保护。进而对高压区的隔离氧化层进行消耗减薄,之后再形成第一栅氧层,从而降低高压区隔离氧化层上的第一栅氧层的表面高度,最终提升整个结构表面的平整度。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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