[发明专利]一种氮化镓HEMT外延结构的生长方法在审
| 申请号： | 202210740108.9 | 申请日： | 2022-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN115548102A | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 陈明 | 申请（专利权）人： | 徐州金沙江半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L21/335;H01L21/02 |
| 代理公司： | 徐州创荣知识产权代理事务所(普通合伙) 32353 | 代理人： | 毕金鹏 |
| 地址： | 221000 江苏省徐*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓HEMT外延结构的生长方法，所述氮化镓HEMT外延结构包括衬底基板，衬底基板在MOCVD反应室内生长有外延层，外延层自下而上包括缓冲层，故意掺杂氮化镓层，非故意掺杂氮化镓层，势垒层，在所述外延层的每个结构层外延生长后与下一个结构层的外延生长前的时间间隔中，将衬底基板和外延层降温至可传输温度并传输移出MOCVD反应室，调整MOCVD反应室的温度至600～900℃，反应室内压力调整至50～100mbar，向MOCVD反应室内通入氯气和氩气的混合气体。通过利用氯气与缓冲层生长过程中生成的杂质涂层在高温下发生化学反应，氩气作为惰性载气，将反应生成物吹扫带出MOCVD反应室。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 hemt 外延 结构 生长 方法 | ||
【主权项】：
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