[发明专利]过渡金属氮化物沉积方法在审
申请号: | 202210728990.5 | 申请日: | 2022-06-24 |
公开(公告)号: | CN115537770A | 公开(公告)日: | 2022-12-30 |
发明(设计)人: | E.费尔姆;J.W.梅斯;C.德泽拉;岩下信哉 | 申请(专利权)人: | ASMIP私人控股有限公司 |
主分类号: | C23C16/34 | 分类号: | C23C16/34;C23C16/455;H01L21/3205 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开涉及在制造半导体器件领域中用于在衬底上沉积含过渡金属氮化物的材料的方法和设备。根据本公开的方法包括循环沉积过程,其中在反应室中提供衬底,以气相向反应室提供有机金属过渡金属前体,并且以气相向反应室中提供氮前体,以在衬底上形成过渡金属氮化物。本公开还涉及过渡金属氮化物层、半导体结构和器件以及用于在衬底上沉积过渡金属氮化物的沉积组件。 | ||
搜索关键词: | 过渡 金属 氮化物 沉积 方法 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的