[发明专利]电阻器结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202210455002.4 | 申请日： | 2022-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN114551432A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 莫熙;蒋德舟;赵斌 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/01 | 分类号： | H01L27/01;H01L21/70;H01L49/02 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 冯启正 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种电阻器结构及其制造方法，应用于半导体技术领域。本发明提供了一种电阻器结构的制造方法，通过在利用现有技术形成MIM电容器结构的过程中，利用该MIM电容器结构的金属上极板的部分区域作为薄膜电阻器件使用，以替代传统工艺形成的多晶硅电阻。由于在本发明提供的电阻器结构的制造方法中，其是利用MIM电容器结构的金属上极板其温度系数低的特性，从而形成一种温度系数低、电阻精度高的薄膜电阻，进而实现解决多晶硅电阻由于温度系数太大，无法配置高精度电阻的缺点，并在利用已有资源的基础上，节约了形成电阻器件的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻器 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州粤芯半导体技术有限公司，未经广州粤芯半导体技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210455002.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 一种多电容堆叠结构及多电容堆叠方法-202311003031.8
- 王锐;刘强;李建军;孙孟英 - 广芯微电子（苏州）有限公司
- 2023-08-10 - 2023-10-24 - H01L27/01
- 本发明公开了一种多电容堆叠结构及多电容堆叠方法，应用于半导体制备领域，该多电容堆叠结构包括：衬底中隔离结构的上侧制备的双多晶电容、以及在双多晶电容背向衬底的一侧堆叠形成的金属氧化物电容和金属绝缘体电容；金属氧化物电容的上极板和金属绝缘体电容的上极板与双多晶电容的上极板导电连接；金属氧化物电容的下极板和金属绝缘体电容的下极板与双多晶电容的下极板导电连接。本发明通过在衬底中隔离结构的上侧，制备双多晶电容，并在双多晶电容背向衬底的一侧制备金属氧化物电容和金属绝缘体电容，并将制备的双多晶电容、金属氧化物电容和金属绝缘体电容并联连接，形成多电容堆叠结构，提高了单位电容密度，降低了制备电容占据芯片的面积。
- 半导体器件-202310151804.0
- 白石信仁;森本康夫;船户是宏 - 瑞萨电子株式会社
- 2023-02-22 - 2023-10-24 - H01L27/01
- 一种半导体器件包括被布置在层间介电膜上的多个电阻膜。多个电阻膜中的每一个在平面图中在第一方向上延伸。多个电阻膜在平面图中被布置成在与第一方向正交的第二方向上间隔开。多个电阻膜被划分成第一组、第二组和第三组。第一组在第二方向上位于第二组与第三组之间。属于第二组的多个第二电阻膜的每一个的第二宽度变化量和属于第三组的多个第三电阻膜的每一个的第三宽度变化量大于属于第一组的多个第一电阻膜中的每一个的第一宽度变化量。
- 一种在铁氧体基片上高附着性能的薄膜电路及其制作方法-202310242319.4
- 刘永彪;樊志明;霍炜;潘雄鹏;罗崇远 - 浙江双芯微电子科技有限公司
- 2023-03-14 - 2023-09-12 - H01L27/01
- 本发明涉及微电子和混合封装领域，目的是提供一种在铁氧体基片上高附着性能的薄膜电路及其制作方法，其中，制造方法包括下列步骤：S1：通过在铁氧体基板上沉积复合金属种子层；S2：通过在复合金属种子层表面涂上光刻胶；S3：继续对基板进行曝光、显影和清洗，通过PVD加厚复合金属种子层至目标厚度；S4：剥离光刻胶完成带线图形制作，刻蚀非目标图形的复合金属种子层；S5：对符合附着力检测的基板进行分割，得到目标薄膜电路，通过先沉积复合金属种子层后进行复合金属种子层即导电层的形状电镀和切割，对铁氧体基板进行预处理使其能够确保沉积金属种子层时附着性能高，也不采样机械应力破坏铁氧体表面，使得在此制造方法下得到的薄膜电路更耐用。
- 一种基于LTCC的载片电阻阵列结构-202310532411.4
- 董刚;周子煜;朱樟明;杨银堂 - 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院
- 2023-05-10 - 2023-09-12 - H01L27/01
- 本发明公开了一种基于LTCC的载片电阻阵列结构，包括LTCC载片、焊盘、电阻以及电阻的电连接端；其中，若干电阻设置在LTCC载片的正反面，分别形成电阻阵列；焊盘设置在LTCC载片上且与电阻两端连接；焊盘通过LTCC载片的内部布线将电阻的电连接端引出至LTCC载片的边缘。该结构实现了高密度的电阻集成，电阻集成密度相比较常规的表贴方式提高238％；且具有良好的可靠性和优良的电阻性能，能够满足厚膜电阻行业以及模块电性能的需求。
- 集成器件、半导体器件以及集成器件的制作方法-202180088904.2
- 唐高飞;包琦龙;王汉星;蒋其梦;欧阳东法 - 华为技术有限公司
- 2021-06-11 - 2023-09-12 - H01L27/01
- 一种集成器件、半导体器件以及集成器件的制作方法，用于提高集成器件电容集成密度。本申请实施例集成器件包括：第一金属层上设置有第一介质层，第一金属层、第一介质层和第一介质层之上的栅极金属层构成第一电容，且栅极金属层、栅极金属层之上的第二介质层和第二介质层之上的第二金属层构成第二电容，采用第一导体结构连接第一金属和第二金属层，使得第一电容和第二电容并联连接。
- 一种在氮化铝基板上高附着性能薄膜电路及其制造方法-202310203928.9
- 刘永彪;霍炜;潘雄鹏;罗崇远;樊志明 - 浙江双芯微电子科技有限公司
- 2023-03-06 - 2023-07-04 - H01L27/01
- 本发明涉及微电子和混合封装领域，目的是提供一种在氮化铝基板上高附着性能薄膜电路及其制造方法，包括下列步骤：S1：在氮化铝基板上沉积氧化铝介质层后进行退火；S2：在氧化铝介质层上沉积复合金属种子层用作导电层，并在表面覆盖光刻胶；S3：固化光刻胶后，确定待刻蚀的金属图形；S4：通过图形的转移和显影，在基板表面进行目标导电层的加厚，去掉表面的光刻胶和非图形区域的金属种子层，得到成型后的金属图形；S5：通过加热考核金属图形的附着力，完成氮化铝薄膜电路，氮化铝薄膜电路表面附着力性能优异，满足雷达、电子对抗、通信等电子信息技术领域的使用需求。
- 形成在集成电路结构中的金属-绝缘体-金属（MIM）电容器和薄膜电阻器（TFR）-202180071887.1
- 冷耀俭 - 微芯片技术股份有限公司
- 2021-09-10 - 2023-06-27 - H01L27/01
- 本发明涉及一种集成电路结构，包括使用共享材料层的部件同时形成的金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器和薄膜电阻器(TFR)。第一金属层可被图案化以形成互连结构、MIM电容器和TFR的下部部件，并且第二金属层可被图案化以形成该互连结构、该MIM电容器和该TFR的上部部件。通孔层可被沉积以形成互连通孔、该MIM电容器的杯形底部电极部件以及该TFR的一对TFR接触通孔。绝缘体层可被图案化以形成该MIM电容器的绝缘体以及TFR元件上的绝缘体帽。
- 一种薄膜集成无源元件IPD宽带射频巴伦芯片-202010212042.7
- 吴永乐;朱坚;王卫民;杨雨豪 - 北京邮电大学
- 2020-03-24 - 2023-06-23 - H01L27/01
- 本发明实施例提供了一种薄膜集成无源元件IPD宽带射频巴伦芯片，包括：射频巴伦芯片的输入端口、第一输出端口及第二输出端口，连接于输入端口与阻抗匹配电路之间的低通滤波器及阻抗匹配电路，阻抗匹配电路连接到第一输出端口及第二输出端口上并包括带宽拓宽器件，低通滤波器用于接收由输入端口输入的信号，对信号的截止频率进行调节，得到调节后的信号；阻抗匹配电路用于接收调节后的信号，在奇模时，第一输出端口输出第一输出信号，第二输出端口输出第二输出信号，带宽拓宽器件使得第一输出信号与第二输出信号在保持幅度相等的情况下，拓宽第一输出信号与第二输出信号的180度相位差所处的频带。
- 一种基于厚薄膜电路基板的lange电桥及其制备方法-202310086913.9
- 王韧;雍政;胡小龙 - 四川斯艾普电子科技有限公司
- 2023-02-09 - 2023-05-30 - H01L27/01
- 一种基于厚薄膜电路基板的lange电桥及其制备方法，lange电桥包括两个金属覆铜层和两组分别与金属覆铜层连接的电感、外部控制电路接口、电容，电感与金属覆铜层连接，金属覆铜层两端设有第一端口、第二端口，外部控制电路接口与变容二极管控制电路连接；金属覆铜层和变容二极管控制电路分布于多层厚薄膜电路中，相邻两层之间有陶瓷基板；电感、外部控制电路接口、电容位于顶层，下方自上而下依次布局的顺序为金属覆铜层、变容二极管控制电路、金属覆铜层、变容二极管控制电路。制备方法包括：准备多块陶瓷板；排布电路；在相邻层之间设置陶瓷基板；烧结。将lange电桥采用多层线路板进行装配，实现lange电桥的小型化和集成化。
- 磁环境中的物理设计-201711499017.6
- 阿龙·J·卡菲;布里安·G·德罗斯特 - 硅谷实验室公司
- 2017-12-29 - 2023-05-02 - H01L27/01
- 一种用于形成包括电感器的集成电路的技术，该技术减小了电感器和周围的元件之间的磁耦合。该技术包括将电路元件(例如，端子、销、路由迹线)相对于与电感器相关的磁矢量电势、并且相对于与电感器相关的磁通量密度场而特意放置在集成电路上的位置中，以减小或者消除使得系统性能降级的感应信号。
- 半导体结构及其制造方法-201811106664.0
- 周仲彦 - 台湾积体电路制造股份有限公司
- 2018-09-21 - 2023-04-04 - H01L27/01
- 本发明实施例涉及一种半导体结构及其制造方法。本发明实施例的一种半导体结构包含电容器，所述电容器包含第一电极和安置于所述第一电极上方且与所述第一电极电绝缘的第二电极。所述半导体结构还包含延伸穿过所述第一电极且接触所述第一电极的平坦表面的第一导电通路。所述半导体结构进一步包含延伸穿过所述第二电极且接触所述第二电极的平坦表面的第二导电通路。
- 一种厚膜电路装置及传感器用无引线厚膜电路-202223016013.7
- 周璇;赵艳波 - 武汉中航传感技术有限责任公司
- 2022-11-09 - 2023-03-17 - H01L27/01
- 本申请属于厚膜电路技术领域，具体涉及一种厚膜电路装置，包括基片、表贴焊盘、电路图形和连接卡扣，多个所述表贴焊盘印刷在所述基片上，均位于所述基片的边缘；电路图形印刷在所述基片上，并与对应的所述表贴焊盘电性连接；所述连接卡扣卡接在所述基片边缘对应的表贴焊盘上，并与之电性连接。本申请提供的厚膜电路装置采用连接卡扣与敏感元件、电气接口等其他电子元件连接，不必在基片上设置通孔焊盘或过孔连接，只用在基片上印刷表贴焊盘和电路图形即可，简化了制造工业，降低制造成本。
- 具有选择性底部端子接触的半导体结构-202180040732.1
- 朱利安·埃尔萨巴希;拉里·比夫莱;斯特凡·布维耶;弗雷德里克·瓦龙 - 株式会社村田制作所
- 2021-06-22 - 2023-02-14 - H01L27/01
- 描述了具有选择性底部端子接触的半导体结构。半导体器件包括：设置在衬底(102)上方的第一金属层(104)；设置在第一金属层(104)上方的导电层(106)；以及设置在导电层(106)上方的第二金属层(108)，该第二金属层(108)嵌有多孔结构(112)，该多孔结构(112)包括从多孔结构的顶表面朝向导电层基本上垂直地延伸的多个孔(412)，其中，仅所述多个孔的子集(412a)通至导电层(106)上。
- 集成晶片与其形成的方法-202210555757.1
- 罗司宪;刘哲宏;蔡子中 - 台湾积体电路制造股份有限公司
- 2022-05-19 - 2022-12-23 - H01L27/01
- 本揭示案各种实施例是针对一种集成晶片与其形成的方法。集成晶片包括基板以及覆于基板上的电阻器。电阻器包括第一金属氮化物结构、与第一金属氮化物结构间隔开的第二金属氮化物结构、以及配置于第一金属氮化物结构与第二金属氮化物结构之间的金属结构。集成晶片还包括第一介电结构，配置在基板及电阻器上方。
- RC网络部件中的接触结构-202180031086.2
- 山口阳平;村濑泰弘;斯特凡·布维耶 - 株式会社村田制作所
- 2021-03-26 - 2022-12-16 - H01L27/01
- RC网络部件(101)包括基板(102)，在基板(102)的一侧(102a)的表面处设置有具有薄膜顶部电极部分(107)的电容器。低欧姆半导体基板(102)被掺杂成对RC网络部件的电阻贡献5％或更少。通过提供通过绝缘层(110)与顶部电极部分(107)间隔开的接触板(109)以及绝缘层(110)中的开口(111)中的一组一个或更多个桥接接触部(108)来控制与电容器串联的电阻。桥接接触部将顶部电极部分(107)和接触板(109)电互连。可以通过对桥接接触部(8)的数目的适当选择来设置不同的电阻值。通过在开口(111)的外围周围的绝缘层(110)中设置厚度减小部分(112a、112b)来减少开口(111)的外围处的温度集中。
- 一种适用于光电封装的集成薄膜电路-202220970648.1
- 徐建卫;汪鹏 - 上海矽安光电科技有限公司
- 2022-04-25 - 2022-12-06 - H01L27/01
- 本实用新型提供一种适用于光电封装的集成薄膜电路，包括衬底片，所述衬底片的上表面设有硅化物层，所述硅化物层的表面设有电容和电阻，所述电容的表面设有金锡焊盘，所述电容包括下电极、介电层和上电极，所述下电极与硅化物层连接，所述介电层位于下电极和上电极之间，所述上电极与金锡焊盘连接并与所述金锡焊盘一体成型；本实用新型具有以下有益效果：本实用新型中电阻的电极层和电容的下电极的下面均为硅化物层，该硅化物层作为应力缓冲层，即使出现微裂纹也不会损伤电阻和电容元器件，电容置于金锡焊盘下面，金锡焊盘是芯片贴合用的，所以压力会分散在整个焊盘上，平面压力对金锡焊盘无损伤，从而不会造成电容破坏。
- 一种无源式柔性触摸感知薄膜器件、电路及制备方法-202210090904.2
- 陈希;刘洋;叶羽婷;魏新睿;潘颖;金成宇;陈赵江;王晖 - 浙江师范大学
- 2022-01-26 - 2022-11-15 - H01L27/01
- 本发明公开了一种无源式柔性触摸感知薄膜器件、电路及制备方法。薄膜器件包括：上层基底、上层电路图形层、上层介质层、中间介质层、下层介质层、下层电路图形层、下层基底。上层基底、上层介质层、下层介质层、下层基底材料为热塑性聚氨酯橡胶，中间介质层材料为聚偏氟乙烯，上述介质层通过设置不同的静电纺丝工艺参数完成加工。上、下层电路图形层材料为镓铟锡合金，通过模板印刷实现电路图形制作。通过测量薄膜器件的电容变化，判断压力大小和被触摸的位置。本发明结构简单，制作方便，输出信号线性度宽、灵敏度高，噪声小，输出性能一致性、重复性好、薄膜器件无需额外供电和信号处理；容易实现大面积成型薄膜的制作；可实现单点、多点、连续的触控，触摸感知压力大小可量化；用在真实人体身上时，透气性好。
- 装置、经封装装置及对多相式电压调节器进行修正的方法-201810036526.3
- 尼克萨姆拉;艾伦罗斯;艾力克苏宁;斯帝芬鲁苏;保罗拉努奇 - 台湾积体电路制造股份有限公司
- 2018-01-15 - 2022-11-15 - H01L27/01
- 一种装置包括半导体管芯。所述半导体管芯上形成有具有相同设计的多个多相式电压调节器模块，所述多个多相式电压调节器模块形成在共用半导体衬底上。
- RC网络部件中的接触部结构-202180024245.6
- 山口阳平;村濑泰弘;斯特凡·布维耶 - 株式会社村田制作所
- 2021-03-26 - 2022-11-11 - H01L27/01
- RC网络部件(101)包括基板(102)，在基板(102)的一侧(102a)上的表面处设置有具有薄膜顶部电极部分(107)的电容器。低欧姆半导体基板(102)被掺杂成对RC网络部件的电阻贡献5％或更少。通过提供通过绝缘层(110)与薄膜顶部电极部分(107)间隔开的接触板(109)以及穿过绝缘层(110)中的开口(111)的一组一个或更多个桥接接触部(108)来控制与电容器串联设置的电阻。桥接接触部将薄膜顶部电极部分(107)和接触板(109)电互连。可以通过对桥接接触部(8)的数目的适当选择来设置不同的电阻值。开口(111)是细长的，从而减少它们外围的温度集中。相应地，桥接接触部(8)具有细长的截面形状。
- 集成有无源器件的基板及其制备方法-202011560442.3
- 王熙元;曲峰 - 京东方科技集团股份有限公司
- 2020-12-25 - 2022-07-01 - H01L27/01
- 本发明提供一种集成有无源器件的基板及其制备方法，属于通信技术领域。本发明的集成有无源器件的基板，其包括介质层，其具有第一连接过孔；无源器件，至少包括电感；所述电感包括第一子结构和第二子结构；所述第一子结构和所述第二子结构分设在所述介质层的两对侧面，且一个所述第二子结构通过贯穿所述介质层的第一连接过孔将两相邻的所述第一子结构短接，以形成所述电感的电感线圈。
- 电阻器结构及其制造方法-202210455002.4
- 莫熙;蒋德舟;赵斌 - 广州粤芯半导体技术有限公司
- 2022-04-28 - 2022-05-27 - H01L27/01
- 本发明提供了一种电阻器结构及其制造方法，应用于半导体技术领域。本发明提供了一种电阻器结构的制造方法，通过在利用现有技术形成MIM电容器结构的过程中，利用该MIM电容器结构的金属上极板的部分区域作为薄膜电阻器件使用，以替代传统工艺形成的多晶硅电阻。由于在本发明提供的电阻器结构的制造方法中，其是利用MIM电容器结构的金属上极板其温度系数低的特性，从而形成一种温度系数低、电阻精度高的薄膜电阻，进而实现解决多晶硅电阻由于温度系数太大，无法配置高精度电阻的缺点，并在利用已有资源的基础上，节约了形成电阻器件的制造成本。
- 一种高可靠性厚膜基片-202123110177.1
- 张超超;唐拓;刘金丽;阳永衡;彭婕;董晶;邓宁;杨正清 - 贵州振华风光半导体股份有限公司
- 2021-12-13 - 2022-05-24 - H01L27/01
- 一种高可靠性厚膜基片，属于厚膜混合集成电路领域。包括:基片衬底，导带，阻带，芯片粘接区，导带键合区，相关电子元器件焊接区，绝缘介质覆盖保护区；所述导带、阻带、芯片粘接区、导带键合区、相关电子元器件焊接区印刷在基片衬底上，阻带的两端联结不同的导带，导带键合区、相关电子元器件焊接区与相应的导带联结，芯片粘接区可以与相应的导带联结或为无联结的独立区域，绝缘介质覆盖保护区覆盖除粘接、键合及焊接区域的以外的区域。解决了现有厚膜混合集成电路批量生产的过程中，芯片、相关电子元器件与厚膜基片的粘接过程中质量控制困难的问题。广泛应用于高可靠混合集成电路技术领域。
- 无源滤波器及其制备方法-202210112631.7
- 李月;安齐昌;肖月磊;吴艺凡;曹雪;韩基挏;周毅;常文博;冯昱霖;曲峰 - 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
- 2022-01-29 - 2022-05-20 - H01L27/01
- 本公开提供一种无源滤波器及其制备方法，属于射频器件技术领域。本公开提供一种无源滤波器，其包括：介质基板、至少一个电容以及至少一个电感；电容包括背离介质基板方向依次设置的第一极板、第一层间介质层以及第二极板；其中，第一层间介质材料的介电常数随着第一极板和第二极板之间的静电场变化而变化。
- 无源滤波器及其制备方法-202210111884.2
- 曹雪;肖月磊;李月;车春城;吴艺凡;安齐昌;常文博;周毅;冯昱霖;韩基挏 - 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
- 2022-01-29 - 2022-05-13 - H01L27/01
- 本公开提供一种无源滤波器及其制备方法，属于射频器件技术领域。本公开提供一种无源滤波器，其包括：介质基板、至少一个电容以及至少一个电感。介质基板包括沿介质基板厚度方向设置的开槽，开槽的内壁包括第一部分，第一部分上至少部分点的切线的延伸方向与介质基板所在平面的延伸方向相交。电容包括背离所述介质基板方向依次设置的第一极板、第一层间介质层以及第二极板，电容的第一极板、电容的第二极板以及第一层间介质层在介质基板上的正投影重叠的部分，至少覆盖第一部分。
- 一种高温自补偿SOI电阻的制造方法及结构-202111615225.4
- 纪旭明;顾祥;李金航;赵晓松;宋帅;张庆东;吴建伟;徐大为 - 中国电子科技集团公司第五十八研究所
- 2021-12-27 - 2022-04-29 - H01L27/01
- 本发明公开一种高温自补偿SOI电阻的制造方法及结构，属于集成电路制造领域。通过在SOICMOS工艺中增加的一步FOX工艺，形成氧化层结构，将POLY电阻和Well电阻实行电气隔离，同时将负温度系数的POLY电阻和正温度系数的Well电阻并联出来，构成高温自补偿SOI电阻结构，此高温自补偿SOI电阻在高温环境的温度系数为500ppm，优于工艺提供的单一阱电阻或者多晶电阻，逼近了金属薄膜电阻200ppm的能力。该高温自补偿SOI电阻结构具备温度自补偿特性，在‑55～225℃环境中电阻变化很小，是基准电路设计的必要结构，可应用于A/D、D/A、电源、电压监控等模拟电路，也可用于脉冲数字等高精度电路，主要用于高温、‑55～225℃的宽温区环境集成电路应用的设计制造需求。
- 一种片式射频负载的新型陶瓷基板-202122952195.8
- 金晓东 - 安伦通讯设备（苏州）有限公司
- 2021-11-29 - 2022-04-26 - H01L27/01
- 本实用新型公开了一种片式射频负载的新型陶瓷基板，用于片式射频负载的主要基础材料，作为片式射频负载的核心承载物，包括：陶瓷基板，陶瓷基板为片状的多角形结构，陶瓷基板的两面分别是根据产品需要印刷有相应的电路元件，陶瓷基板设有印刷区及定位点；印刷区设在印刷面的中心区域；定位点为圆形设在陶瓷基板的印刷面之外的区域或设在非印刷面，用以识别陶瓷基板的左右方向、正反方向、印刷定位及切割定位中的一种或者多种。本实用新型在陶瓷基板上增加印刷用的定位点和切割用的定位点，以方便产品生产工艺中每个步骤的定位图像识别，从而显著提升产品生产工艺的定位精度及一致性。提高生产效率、产品良率、产品性能及可靠性。降低产品成本。
- 一种高导热厚膜基片及其制备方法-202111549093.X
- 张超超;唐拓;周恒;刘金丽;陈毅;黄洁;徐永朋;李阳 - 贵州振华风光半导体股份有限公司
- 2021-12-17 - 2022-04-22 - H01L27/01
- 一种高导热厚膜基片及其制备方法，属于混合集成电路领域。包括厚膜基片本体、导带或阻带、芯片焊接区、导热凹孔、磁控溅射层、金锡焊料层、铜块、填充层、背面金属化层。导带或阻带、芯片焊接区位于厚膜基片本体正面表面，背面金属化层位于厚膜基片背面，导热凹孔位于厚膜基片背面正对表面芯片焊接区的区域，磁控溅射层为在陶瓷凹孔底部的耐高温金属膜层，金锡焊料层为铜块与凹孔底部的耐高温金属膜层之间的焊接层，铜块位于凹孔中，纳米金浆料填充层位于铜块与凹孔的间隙中。采用激光开凹孔。在不影响其电路载体功能的情况下，通过改变氧化铝厚膜基片的结构，从而增加厚膜基片的导热效率。广泛应用于功率混合集成电路中作高导热性能厚膜基片。
- 混合功率开关电路及具有其的电子装置-202122990122.8
- 高向海;孙长安;杨鸥宁 - 北京飞宇微电子电路有限责任公司
- 2021-11-30 - 2022-04-19 - H01L27/01
- 本实用新型提供一种混合功率开关电路及具有其的电子装置。混合功率开关电路包括：底座；设置在其上的薄膜基板，薄膜基板上设有多个裸芯片；薄膜基板包括多个电阻和多条带状导线；裸芯片之间以及裸芯片与电阻之间通过带状导线电连接以形成驱动模块和译码模块；沿底座边沿设置并部分环绕薄膜基板的陶瓷覆铜片；陶瓷覆铜片包括金属层，金属层上设有至少一个裸芯片，裸芯片与金属层形成输出模块；封装件，与底座固定连接，封盖薄膜基板和陶瓷覆铜片。混合功率开关电路的输出模块采用陶瓷覆铜片和其上的裸芯片构成，可承载较大的输出电流；控制部分的驱动模块和译码模块采用薄膜混合集成电路的方式形成，可提高混合功率开关电路的电性能和可靠性。
- 集成式薄膜开关电路和电子装置-202122986261.3
- 高向海;孙长安;黄金玲 - 北京飞宇微电子电路有限责任公司
- 2021-11-30 - 2022-04-19 - H01L27/01
- 本实用新型涉及混合集成电路技术领域，具体涉及集成式薄膜开关电路和电子装置。该集成式薄膜开关电路，包括底座和封装件，其中底座上设有薄膜基板，薄膜基板包括电阻和带状导线；薄膜基板具有安装区，安装区上安装有多个裸芯片，且多个裸芯片以及电阻之间通过带状导线电连接；封装件与底座固定连接，用以封装多个裸芯片和所述薄膜基板。本实用新型提供的集成式薄膜开关电路，通过采用薄膜混合集成电路的形式实现功率开关电路各模块的集成，不仅有效降低了功率开关电路的尺寸，实现了功率开关电路的小型化，而且提高了电路的可靠性。
- 一种厚膜混合集成电路及其微电路系统-202110761256.4
- 熊立杜;黄俊威;张正波 - 湖南宏微电子技术有限公司
- 2021-07-06 - 2022-03-22 - H01L27/01
- 本发明提出一种厚膜混合集成电路及其微电路系统。所述集成电路包括输入模块、控制模块、整流模块、滤波模块、输出模块以及反馈模块；控制模块包括开关控制器；开关控制器包括基准源电路；输入电压调整端包括多个并联的高压整流电路；将高压整流电路输出的多个电压信号之一作为基准源电路的参考电压输入；所述厚膜工艺集成包括：将电源输入端与基板焊接；将输入电压调整端与所述开关控制器的输入端键合后组装。厚膜混合集成电路还包括通过厚膜混合集成于所述反馈模块的采样电路；采样电路通过激光调阻后黏贴于所述反馈模块。所述微电路系统包括负载网络，负载网络包括多种负载设备，所述负载设备连接所述厚膜混合集成电路的所述输出模块。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
