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[实用新型]限幅器结构-CN202222518172.0有效
发明人：王树庆 -专利权人： 四川斯艾普电子科技有限公司
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H03G11/00 文献下载
摘要：本实用新型提供限幅器结构，包括输入微带线、第一级限幅管芯和输出微带线，所述第一级限幅管芯包括多个限幅管芯，所述多个限幅管芯的输入端与输入微带线连通，一部分限幅管芯的输出端与输出微带线连通，另一部分限幅管芯的输出端空置。本实用新型所述限幅器结构通过减少与输出微带线连通的限幅管芯的数量，达到了减小插入损耗的目的。
限幅器结构

[发明专利]一种双频段阵列天线及其实现方法-CN202211397968.3在审
发明人：王树庆;詹立宏 -专利权人： 四川斯艾普电子科技有限公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：一种双频段阵列天线及实现方法，属于双频段阵列天线技术领域，双频段阵列天线包括：公共馈电功分网络的第一金属层具有馈电端口及功分网络；第一阵列天线及第二阵列天线呈对称结构分别设于公共馈电功分网络的两面，均包括依次叠放的第二金属层、第三金属层、第四金属层及第五金属层，且各之间均设有陶瓷基板。第二金属层为接地层，第三金属层具有阻抗匹配网络，第一阵列天线通过第一金属化孔与功分网络连通；第二阵列天线通过第二金属化孔与功分网络连通。第四金属层阵列开设有耦合缝隙。第五金属层对应耦合缝隙均设有辐射贴片。采用厚膜电路工艺实现阵列天线，天线更加小型化，不同频段的天线可单独制作，设计及制作工艺更加简单。
一种双频阵列天线及其实现方法

[发明专利]一种基于厚膜的信号长距离传输的结构-CN202310034485.5在审
发明人：王韧;唐涛;孙浩然 -专利权人： 四川斯艾普电子科技有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01P3/08 文献下载
摘要：一种基于厚膜的信号长距离传输的结构，包括：第一层电路、第二层电路、第三层电路，第四层电路，陶瓷基板，数量至少为三个，其包括第一陶瓷基板、第二陶瓷基板及第三陶瓷基板，且第一陶瓷基板位于第一层电路与第二层电路之间，第二陶瓷基板位于第二层电路与第三层电路之间，第三陶瓷基板位于第三层电路与第四层电路之间。本发明有利于电路系统的小型化集成设计。由于同轴线是三维结构，因此不能直接用于基于厚膜电路的集成结构中，而采用本结构，以及通过厚膜电路多层和金属化过孔的方式，将二维平面结构的微带线可以等效为三维结构的同轴线，在保证传输效果的前提下，还能减小电路的剖面尺寸。
一种基于信号长距离传输结构

[发明专利]一种厚膜薄膜混合电路及其实现方法-CN202211383397.8在审
发明人：王韧;孙一鸣 -专利权人： 四川斯艾普电子科技有限公司
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H05K1/03 文献下载
摘要：本申请提供一种厚膜薄膜混合电路及其实现方法，混合电路包括：叠设的四层陶瓷基板，顶层的陶瓷基板为薄膜ALN陶瓷基板，其顶面通过薄膜工艺镀有薄膜电路层，薄膜电路层表面镀有良导体镀层，中间两层陶瓷基板为空白ALN陶瓷基板，用于作为牺牲层，表面经过减薄、打磨及抛光进行平整，底层的陶瓷基板顶面印刷有厚膜电路层；金属地层，设于底层的陶瓷基板底面；其中，薄膜电路层通过埋设于各陶瓷基板中的金属化孔，与厚膜电路层和金属地层实现电气导通。改变多层布局结构，牺牲层进行平整处理，并通过金属化过孔实现厚膜电路和薄膜电路的电气连接，达到厚膜和薄膜混合集成的目的，并改善烧制中可能出现的变形问题。
一种薄膜混合电路及其实现方法

[发明专利]一种基于厚膜的上下变频器及其实现方法-CN202211401313.9在审
发明人：杨中华;唐涛 -专利权人： 四川斯艾普电子科技有限公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H03D7/16 文献下载
摘要：一种基于厚膜的上下变频器及其实现方法，变频器包括依次连接的晶振、合路器、本振带通滤波器，依次连接的中频信号输入的驱动放大器、中频带通滤波器，依次连接的混频器、低噪声放大器、功率放大器，本振带通滤波器和中频带通滤波器连接在混频器的两个输入端，合路器连接单片机；变频器布局于多层厚膜电路中，相邻两层之间有一陶瓷基板；混频器、晶振、合路器、单片机布局在最顶层上；中频带通滤波器、射频输出带通滤波器、本振带通滤波器布局在中间的一层上；驱动放大器、低噪声放大器、功率放大器布局在最底层上。将分隔腔体二维结构变成厚膜三维多层结构，减小尺寸和重量，提供更好的电磁兼容和散热性，传输线更短，信号传输更快，效率更高。
一种基于上下变频器及其实现方法

[发明专利]基于厚膜电路基板的频率综合器及其实现方法-CN202211401314.3在审
发明人：吴中军;孙浩然 -专利权人： 四川斯艾普电子科技有限公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H03L7/093 文献下载
摘要：基于厚膜电路基板的频率综合器及其实现方法，频率综合器包括依次连接的晶振、锁相环、环路滤波器、压控振荡器、低噪声放大器，锁相环连接有单片机，压控振荡器还连接锁相环，所述频率综合器布局于多层厚膜电路中，相邻两层之间有一陶瓷基板；晶振、锁相环、单片机布局在最顶层上；环路滤波器布局在中间的一层上；压控振荡器、低噪声放大器布局在最底层上；还包括布局于最底层上的LDO和布局于中间的另一层上并通过导通过孔与LDO连接的多路电源匹配电路。通过多层厚膜电路实现频综，传输线更短，信号传输更快，效率更高，并极大减小整体尺寸和重量，电磁兼容性和散热性更好。
基于厚膜电路基频率综合及其实现方法

[发明专利]一种基于厚薄膜电路基板的大功率开关设计方法-CN202211518850.1在审
发明人：商桂川;丛楠;孙浩然 -专利权人： 四川斯艾普电子科技有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H03K17/74 文献下载
摘要：一种基于厚薄膜电路基板的大功率开关设计方法，包括：提供一层表层电路层，其上设置驱动器、第一射频传输线、第二射频传输线、第三射频传输线、第四射频传输线、第一PIN二极管、第二PIN二极管、第三PIN二极管、第一电容、第二电容、第三电容及第四电容；提供一层牺牲层，设于表层电路层的下侧；提供多层金属层，第一金属层位于牺牲层下侧，第二金属层上设置第一电感、第二电感、第三电感、第四电感；第四金属层上设置第一电阻、第二电阻；第五金属层上设置驱动器控制电路；金属层的相邻两层之间夹设一个陶瓷基板。将大功率开关的元器件分开布置在薄膜工艺的表层和厚膜工艺的内部不同金属层，实现高度集成，减小整体尺寸。
一种基于厚薄路基大功率开关设计方法

[发明专利]提高厚膜集成射频器件功率容量的方法及射频器件-CN202211420625.4在审
发明人：敬明礁;陈卓杰 -专利权人： 四川斯艾普电子科技有限公司
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：提高厚膜集成射频器件功率容量的方法及射频器件，方法包括：提供至少三个的陶瓷基板，在第1个陶瓷基板底面加工金属薄层和导体层，顶面加工加厚导体层，加厚导体层上设置大功率器件和小功率器件，在大功率器件上通过薄膜工艺印刷成薄膜介质层，在其余陶瓷基板底面加工导体层；在对应的陶瓷基板上加工大功率接地孔和小功率接地孔，在所有陶瓷基板上加工多个散热孔，散热孔分布于薄膜介质层周侧；叠合，并在最下方设置散热片；烧制成型，使小功率接地孔导通至第3个陶瓷基板顶面接地，使各大功率接地孔导通至第2个陶瓷基板顶面接地，使各散热孔连通散热片；散热孔内填充铜浆。在满足小尺寸设计的同时提高射频器件及射频系统的功率容量。
提高集成射频器件功率容量方法

[发明专利]一种集成化限幅场放及其制备方法-CN202310060833.6有效
发明人：王韧;孙一鸣;唐涛 -专利权人： 四川斯艾普电子科技有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H03F3/195 文献下载
摘要：本发明提供一种集成化限幅场放及其制备方法，涉及通信技术领域，集成化限幅场放布局于多层厚薄膜电路中，包括两路依次连接的限幅电路、放大电路、匹配网络；限幅电路、匹配网络分别与第一lange电桥和第二lange电桥的端口连接；相邻两层之间设有陶瓷介质板，每层之间通过金属过孔连接；其中两路限幅电路及放大电路均布局于同一层，两路匹配网络布局于限幅电路下方的一层上，第一lange电桥位于最上一层，第二lange电桥位于最下一层。制备方法包括步骤：准备陶瓷基板；排布电路；每层之间设置一层陶瓷介质板；烧结。采用多层线路板对lange电桥和限幅电路、放大电路、匹配网络进行布置，实现限幅场放的小型化和集成化。
一种集成化限幅及其制备方法

[发明专利]一种基于厚薄膜电路基板的lange电桥及其制备方法-CN202310086913.9有效
发明人：王韧;雍政;胡小龙 -专利权人： 四川斯艾普电子科技有限公司
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L27/01 文献下载
摘要：一种基于厚薄膜电路基板的lange电桥及其制备方法，lange电桥包括两个金属覆铜层和两组分别与金属覆铜层连接的电感、外部控制电路接口、电容，电感与金属覆铜层连接，金属覆铜层两端设有第一端口、第二端口，外部控制电路接口与变容二极管控制电路连接；金属覆铜层和变容二极管控制电路分布于多层厚薄膜电路中，相邻两层之间有陶瓷基板；电感、外部控制电路接口、电容位于顶层，下方自上而下依次布局的顺序为金属覆铜层、变容二极管控制电路、金属覆铜层、变容二极管控制电路。制备方法包括：准备多块陶瓷板；排布电路；在相邻层之间设置陶瓷基板；烧结。将lange电桥采用多层线路板进行装配，实现lange电桥的小型化和集成化。
一种基于厚薄路基 lange 电桥及其制备方法

[发明专利]一种采用厚薄膜工艺实现多层电路板的方法-CN202310185332.0有效
发明人：王韧;廖军;唐涛 -专利权人： 四川斯艾普电子科技有限公司
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：本发明提供一种采用厚薄膜工艺实现多层电路板的方法，属于电路板生产方法领域，包括步骤：S1：提供多块陶瓷基板，在预定的位置设置金属导通孔；S2：制作厚膜电路；S3：固化，将顶面具有线路图的陶瓷基板按照预定顺序进行叠合，在顶层陶瓷基板的上方设置两层空白瓷片，将陶瓷基板及空白瓷片压合，并进行烧结，以形成一体结构的厚膜电路模块；S4：打磨，将厚膜电路模块顶面的一层空白瓷片打磨光滑；S5：制作薄膜金属层；S6：制作薄膜电路，利用薄膜金属层形成薄膜电路。本方案不仅能通过厚膜电路实现多层电路板小型化的需求，而且可通过薄膜电路满足多层电路板大功率、精细化的需求，同时还使多层电路板具有良好的散热。
一种采用厚薄工艺实现多层电路板方法

[发明专利]一种厚薄膜电路基板TR组件及其封装方法-CN202310017007.3有效
发明人：王韧;王树庆;雍政 -专利权人： 四川斯艾普电子科技有限公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：一种厚薄膜电路基板TR组件及其封装方法，属于TR组件技术领域，TR组件包括封装金属壳体内的电路基板，电路基板包括第一线路层、第二线路层、第三线路层、第四线路层、电源控制层、底层金属地。各线路层之间均具有陶瓷层。第一线路层为厚膜工艺形成，其划分为A区、E区、H区、I区和J区，A区和H区的外侧具有连通底层金属地的第一金属孔；第二线路层为厚膜工艺形成，具有B区；第三线路层为薄膜工艺形成，具有C区和G区，G区外侧具有连通底层金属地的第二金属孔；第四线路层为薄膜工艺形成有D区；电源控制层用于电源调制及控制电路。TR组件能耐受较高的电压、更大的功率和较大的电流，且具有高密度、小体积及良好的散热功能。
一种厚薄路基 tr 组件及其封装方法

[发明专利]厚膜电路多层过孔连接阻抗匹配结构、方法及射频系统-CN202310032308.3有效
发明人：詹利宏;何磊 -专利权人： 四川斯艾普电子科技有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L23/66 文献下载
摘要：厚膜电路多层过孔连接阻抗匹配结构、方法及射频系统，结构包括多个导体层和位于相邻导体层的陶瓷基板；底层的导体层为金属地层，顶层的导体层设有欧姆微带线，中间导体层设有欧姆微带线，各欧姆微带线通过金属化过孔连通，并连通金属地层；相邻两个欧姆微带线宽度不同，金属化过孔孔径与欧姆微带线宽度匹配，相邻两个欧姆微带线所在导体层之间的金属化过孔孔径光滑渐变；金属化过孔周侧设有多个贯通的接地孔，接地孔连通金属地层；欧姆微带线均连接有阻抗调节枝节。采用渐变孔径的金属化过孔实现不同阻抗之间连接的阻抗匹配，并设阻抗匹配枝节，解决由于厚膜电路烧制出现的热胀冷缩引起过孔和微带线之间连接错位而带来的阻抗失配问题。
电路多层连接阻抗匹配结构方法射频系统

[发明专利]一种厚薄膜防打火电路板形成方法-CN202310032302.6有效
发明人：王韧;孙浩然;敬明礁 -专利权人： 四川斯艾普电子科技有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H05K3/12 文献下载
摘要：一种厚薄膜防打火电路板形成方法，属于电路板技术领域，包括：第一陶瓷板，其顶面形成导电层；第二陶瓷板，其顶面形成电源层，其底面形成有接地金属层。在第一陶瓷板底面对应导电层的发热区域设置多层散热圈，散热圈与电源层的电路之间具有间隔。由上至下叠合并烧结第一陶瓷板及第二陶瓷板；在导电层的发热区域周侧设置有金属散热孔，金属散热孔与接地金属层相连。导电层上电路具有尖端拐角的部位设置为圆弧结构，圆弧外侧布置多个接地金属孔，接地金属孔与接地金属层连接；电源层上相邻两条电路之间的间距小于或等于0.5μm处，其中一条电路的外侧设有多个金属过孔，金属过孔均与接地金属层连接。本申请方法形成的电路板可有效防止电路打火。
一种厚薄打火电路板形成方法

[发明专利]一种厚薄膜电路基板平衡式限幅场放-CN202310103056.9有效
发明人：王韧;孙一鸣 -专利权人： 四川斯艾普电子科技有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本申请提供一种厚薄膜电路基板平衡式限幅场放，包括：由上至下依次叠合的第一基板、第二基板、第三基板、第四基板及第五基板，且最终经烧制形成一体式多层电路板。第一基板顶面采用薄膜工艺形成有第一金属层，用于加工电桥、射频电路及安放元器件。第二基板顶面形成有第二金属层，用于加工射频信号接地层。第三基板顶面形成有第三金属层，用于加工工作状态控制线、电源控制线等低频馈电电路。第四基板顶面形成有第四金属层，用于加工公共接地板。第五基板顶面形成有第五金属层，用于加工射频信号传输线。第五基板底面形成有第六金属层，用于加工公共接地板。能有效减少布线层数，进一步减小产品体积。
一种厚薄路基平衡限幅

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