[发明专利]半导体结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202210329106.0 | 申请日： | 2022-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN116940108A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 邵光速;肖德元;邱云松 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 闫洁;刘芳 |
| 地址： | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请提供一种半导体结构及其制作方法，涉及半导体技术领域，用于解决半导体结构良率较低的技术问题，该制作方法包括：在基体中形成多条间隔设置且沿第一方向延伸的第一沟槽；在第一沟槽的侧壁上形成第一绝缘层，第一绝缘层的厚度小于目标值，第一绝缘层围合成第二沟槽；对暴露在第二沟槽内的衬底进行硅化反应；在第二沟槽的侧壁上形成第二绝缘层，第二绝缘层围合成第三沟槽，第一绝缘层和第二绝缘层的厚度之和等于目标值；在第三沟槽内形成隔离层。通过在第一沟槽的侧壁形成第一绝缘层，且其厚度小于目标值，暴露的衬底较多，硅化后的衬底沿第二方向连成一体，以提高半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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