[发明专利]三维存储器及其形成方法、三维存储器的量测方法在审
| 申请号： | 202210262937.0 | 申请日： | 2022-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN114649304A | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 杨超;吴振国;赵利俊 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582;G01B11/00 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 陈丽丽 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种三维存储器及其形成方法、三维存储器的量测方法。所述三维存储器包括：器件结构，包括堆叠层，所述堆叠层中具有多个沟道孔，每一所述沟道孔包括具有第一预设相对偏移量的第一沟道孔和第二沟道孔；量测结构，位于所述器件结构外部，所述量测结构包括多个量测子阵列，相邻所述量测子阵列之间具有一间距，每个所述量测子阵列中包括呈阵列排布的多个量测孔，所述量测孔包括具有第二预设相对偏移量第一量测孔和第二量测孔，所述第一预设偏移量和所述第二预设偏移量之间具有一预设差值。本发明提高了所述沟道孔内套准量测结果的可靠性和准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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