[发明专利]半导体装置和包括半导体装置的电子系统在审
申请号: | 202210219592.0 | 申请日: | 2022-03-08 |
公开(公告)号: | CN115440735A | 公开(公告)日: | 2022-12-06 |
发明(设计)人: | 权烔辉;闵忠基 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/11519 | 分类号: | H01L27/11519;H01L27/11524;H01L27/11531;H01L27/11548;H01L27/11556 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩芳;刘灿强 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一种半导体装置和包括半导体装置的电子系统。所述半导体装置包括:外围电路结构,包括下基底、形成在下基底上的多个电路和连接到所述多个电路的多个布线层;上基底,覆盖外围电路结构,并且包括贯通开口;存储器堆叠结构,包括多条栅极线;存储器单元接触件,穿过所述多条栅极线中的至少一条栅极线,以接触所述多条栅极线之中的一条栅极线,存储器单元接触件通过贯通开口延伸到外围电路结构并且被构造为电连接到所述多个布线层之中的第一布线层;以及多个虚设沟道结构,穿过所述多条栅极线中的至少一条栅极线,以通过贯通开口延伸到外围电路结构。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 包括 电子 系统 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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