[发明专利]半导体结构及其形成方法、动态随机存储器的制造方法在审
| 申请号： | 202210173838.5 | 申请日： | 2022-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN116705694A | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 吴公一;徐亚超;吴小飞 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H10B12/00;H01L23/538 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请提供了一种半导体结构及其形成方法、动态随机存储器的制造方法。所述半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括中心区域和边界区域，所述边界区域位于所述中心区域的外围且邻接所述中心区域，所述衬底的上表面具有第一介质层，所述第一介质层中具有若干孔洞，所述孔洞底部暴露所述衬底，所述孔洞中填充有第二介质层；刻蚀部分所述第二介质层，以在所述第一介质层间形成凹槽；在所述边界区域的凹槽上形成阻挡层；用湿法刻蚀去除所述中心区域的剩余所述第二介质层。上述技术方案，通过在第一介质层及第二介质层上表面形成阶梯形界面，避免后续进行湿法刻蚀时，腐蚀液渗透到边界区域造成半导体结构的损坏，提高了半导体结构的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 动态 随机 存储器 制造 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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