[发明专利]一种在Ⅲ族氮化物半导体上制备钝化膜的方法及钝化膜在审
| 申请号： | 202210168314.7 | 申请日： | 2022-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN114582740A | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 江灏;彭天智;卢家冰 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31 |
| 代理公司： | 广州润禾知识产权代理事务所(普通合伙) 44446 | 代理人： | 林伟斌;周业飞 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在Ⅲ族氮化物半导体上制备钝化膜的方法，包括以下制备步骤：S10：在基底表面沉积一层金属铝薄膜，得第一中间体；其中，所述基底为Ⅲ族氮化物半导体裸晶片，或，所述基底为预先在Ⅲ族氮化物半导体裸晶片上沉积有金属电极的复合晶片；S20：将所述第一中间体送入氧气环境或干燥的压缩空气环境中高温退火氧化铝，使基底上的金属铝薄膜与氧气反应生成氧化铝介质膜，得第二中间体。本发明还公开了一种通过上述制备方法获得的钝化膜。与现有技术相比，本发明的制备方法简单可靠、成本低，改善了钝化膜的抗耐压和低漏电特性，且透光性好，更符合用户所需。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 半导体 制备 钝化 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
