[发明专利]半导体器件的测试方法、装置、设备及存储介质在审
| 申请号： | 202210047617.3 | 申请日： | 2022-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN114414974A | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 邢勇军;黄新宇 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京名华博信知识产权代理有限公司 11453 | 代理人： | 李冬梅 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种半导体器件的测试方法、装置、设备及存储介质。半导体器件的测试方法包括：获取栅极电压与漏极电流的关系曲线；根据栅极电压与漏极电流的关系曲线，获得跨导；根据跨导和栅极电压，获得跨导与栅极电压的关系曲线；根据跨导与栅极电压的关系曲线，获得峰值跨导值和相邻跨导值；确定相邻跨导值与峰值跨导值的比值是否小于预设值；若是，停止测试。采用本公开的半导体器件的测试方法，通过所获得峰值跨导值和与其相邻的跨导值的比值小于预设值，可以准确确定最大跨导值，以能准确根据最大跨导值来确定半导体器件的阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 测试 方法 装置 设备 存储 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210047617.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
