[发明专利]具有分别驱动的源极区以改善性能的存储器块在审
申请号: | 202180006705.2 | 申请日: | 2021-05-21 |
公开(公告)号: | CN114747007A | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 崔志欣;R·高塔姆;H·奇布文戈泽 | 申请(专利权)人: | 桑迪士克科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/11519 | 分类号: | H01L27/11519;H01L27/11565;H01L27/11529;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11521;G11C16/04 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 唐强;刘芳 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明描述了用于在存储器单元块下方的基板中提供分离的源极区的装置和技术。该源极区可由相应的电压驱动器分别驱动,以提供诸如更均匀的编程和擦除速度以及更窄的阈值电压分布的益处。在一种方法中,提供单个源极区并且通过蚀刻沟槽以及用绝缘材料填充该沟槽来将该源极区分成多个源极区。到该源极区的触点可包括柱形触点,该柱形触点对于每个源极区延伸穿过该块。在另一种方法中,一个或多个平面触点对于每个源极区延伸穿过该块。在另一方面,编程操作在编程操作的验证测试期间向相应源极区施加不同电压。 | ||
搜索关键词: | 具有 分别 驱动 源极区 改善 性能 存储器 | ||
【主权项】:
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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