[发明专利]每一层具有非均匀厚度的三维漏斗状自旋转移矩MRAM基元在审
| 申请号： | 202111432197.2 | 申请日： | 2021-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN114649471A | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | J·J·诺瓦克 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;刘薇 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种每一层具有非均匀厚度的三维漏斗状自旋转移矩MRAM基元。一种用于提供具有双磁隧道结的漏斗状自旋转移矩STT磁阻式随机存取存储器MRAM器件的方法。该方法包括在到半导体器件的连接上提供金属柱。该方法包括在金属柱上且在与金属柱邻近的第一层间电介质的部分上提供第一参考层。该方法包括在第一参考层上提供第一隧道势垒和在第一隧道势垒层上提供自由层。该方法包括提供具有漏斗状自旋转移矩MRAM器件的半导体结构中的在自由层上的第二隧道势垒和在第二隧道势垒上的第二参考层。 | ||
| 搜索关键词： | 一层 具有 均匀 厚度 三维 漏斗 自旋 转移 mram | ||
【主权项】：
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