[发明专利]半导体存储器件在审
申请号: | 202111276609.8 | 申请日: | 2021-10-29 |
公开(公告)号: | CN114446990A | 公开(公告)日: | 2022-05-06 |
发明(设计)人: | 李炅奂;金容锡;金一权;金炫哲;徐亨源;柳成原;弘载昊 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/11578 | 分类号: | H01L27/11578;H01L27/11568 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 赵南;肖学蕊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供一种具有改善的电特性的半导体存储器件。该半导体存储器件包括:第一半导体图案,其在第一方向上与衬底分离;第一栅极结构,其在第一方向上延伸并穿透第一半导体图案;第一导电连接线,其连接至第一半导体图案并在不同于第一方向的第二方向上延伸;以及第二导电连接线,其连接至第一半导体图案。第一栅极结构位于第一导电连接线和第二导电连接线之间,第一栅极结构包括第一栅电极和第一栅极绝缘膜,且第一栅极绝缘膜包括与第一半导体图案接触的第一电荷保持膜。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的