[发明专利]一种双自对准接触的FinFET标准单元及其形成方法在审
| 申请号： | 202110925167.9 | 申请日： | 2021-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN113782606A | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种双自对准接触的FinFET标准单元，涉及半导体集成电路制造技术，双自对准接触的FinFET标准单元包括一个跨越扩散连接孔的自对准栅极接触和一个跨越栅极的自对准扩散连接孔接触，并在两自对准接触间包括一盖帽层，而实现两自对准接触间的隔离，如此可进一步减小有效鳍或虚拟鳍的尺寸，而进一步减小鳍式场效应晶体管标准单元的面积，并可防止相邻的M0A和M0P桥接在一起，而提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对准 接触 finfet 标准 单元 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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