[发明专利]一种半导体结构的制造方法及其测试方法有效
| 申请号： | 202110800490.3 | 申请日： | 2021-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN113540040B | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 刘云飞 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66;H10B41/20;H10B43/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 柳虹 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请提供一种半导体结构的制造方法及其测试方法，包括：提供衬底，衬底包括待形成台阶结构的第一区；在衬底上形成堆叠层，堆叠层包括依次层叠的第一介质层和第二介质层；在堆叠层上形成硬掩模墙；硬掩模墙位于第一区内，且硬掩模墙将第一区划分为多个第二区；硬掩模墙中形成有台阶结构标记；形成光刻胶层，所述光刻胶层暴露出所述第二区内待刻蚀的所述堆叠层；对待刻蚀的堆叠层进行刻蚀，得到台阶结构。由此可见，台阶结构标记形成在硬掩模墙之中，在进行台阶结构的刻蚀时，有硬掩模墙的保护，不会刻蚀台阶结构标记，此外还有光刻胶层覆盖台阶结构标记，进一步的保护台阶结构标记在形成台阶结构时不会受到损伤和位置移动。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 制造 方法 及其 测试 | ||
【主权项】：
暂无信息
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