[发明专利]形成半导体装置的方法在审
| 申请号： | 202110652980.3 | 申请日： | 2021-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN114078782A | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 祐川光成;中村吉孝 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王艳娇 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及形成半导体装置的方法。一种方法，包含形成第一构件，所述第一构件具有其中包含多个存储电容器的第一部分和围绕所述第一部分的第二部分；形成具有第三部分和围绕所述第三部分的第四部分的凹形的第二构件，所述第三部分对应于所述凹形的下顶表面，所述第三部分在其中包含对应于所述多个存储电容器设置的多个存取晶体管，所述第四部分对应于所述凹形的上顶表面；将所述第一构件堆叠在所述第二构件上以物理地连接所述第二部分和所述第四部分，并且在所述第一部分和所述第三部分之间具有间隙；切割所述第一构件以将所述第一部分与所述第二部分物理分离；以及接合分离的所述第一部分和所述第三部分，并填充其间的所述间隙。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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