[发明专利]一种强微腔器件叠层阳极的制备方法有效
| 申请号： | 202110636299.X | 申请日： | 2021-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN113380967B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 曹贺;刘晓佳;吕迅;刘胜芳;赵铮涛;潘倩倩 | 申请（专利权）人： | 安徽熙泰智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H10K71/60 | 分类号： | H10K71/60;H10K50/816 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 马荣 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市芜湖长江*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种应用于强微腔器件技术领域的强微腔器件叠层阳极的制备方法，所述的强微腔器件叠层阳极的制备方法的步骤为:S1.金属反射层及B阳极成膜；S2.B‑HM制备；B‑HM制备时，对完成B阳极工艺的wafer进行PECVD成膜工艺，选择SiO或SiN膜层，膜层厚度选择3000A～4000A；S3.G‑阳极制备；S4.G‑HM制备；S5.R‑阳极制备；S6.HM去除,完成叠层阳极制备。本发明所述的强微腔器件叠层阳极的制备方法，通过改变制备工艺，通过错位光刻，减少光刻次数，在确保较少的光刻次数条件下，在制备过程中，对每个子像素阳极均进行了保护，确保阳极制程的良率，通过硬掩膜保护，避免在制备过程中对像素阳极的损伤，从而完成对叠层阳极的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 强微腔 器件 阳极 制备 方法 | ||
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- 本发明公开了一种提高硅基OLED显示器件亮度的阳极制备方法，包括以下步骤：在所述的硅基板上制作SiNx/SiOx复合膜、制作光刻图形；通过刻蚀和去胶工艺，制成像素凹槽；阳极Ag膜沉积制备；化学机械抛光；清洗；ITO膜的溅射沉积；涂胶、曝光和显影；对ITO进行刻蚀和去胶；制备像素隔离层；涂胶、曝光和显影；完成硅基OLED阳极的制备。采用上述技术方案，采用Ag电极在硅基OLED领域应用，在不影响分辨率的前提下，可以显著提升阳极反射率，进而可有效提高终端产品AR/VR的亮度；Ag的热稳定性相较于Al更优，提升了阳极工艺的容忍度；为开拓市场提供有利基础条件。
- 一种优化钙钛矿太阳能电池金属电极的方法-202310212896.9
- 李卫东;赵政晶;赵志国;赵东明;秦校军;蔡子贺;刘云 - 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司;华能新能源股份有限公司
- 2023-03-06 - 2023-07-18 - H10K71/60
- 本发明提供了一种优化钙钛矿太阳能电池金属电极的方法，包括以下步骤：在钙钛矿太阳能电池的电荷传输层和金属电极之间设置纳米金属缓冲层。与现有技术相比，本发明提供了一种纳米金属缓冲层优化钙钛矿太阳能电池金属电极的方法，通过设置纳米金属缓冲层优化钙钛矿太阳能电池器件的对电极，实现优化电荷传输效果，提高器件光电转换性能的作用，同时纳米金属缓冲层可以有效改善电荷传输层和贵金属之间的浸润效果，提高界面结合效果。
- 一种钙钛矿太阳能电池中透明电极的制备方法及应用-202310436823.8
- 杨静;刘冬雪;张晓丹;孙天歌;董一昕;贡永帅;邹巧娇 - 中国长江三峡集团有限公司;南开大学
- 2023-04-21 - 2023-07-07 - H10K71/60
- 本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池中透明电极的制备方法及应用，属于透明导电薄膜技术领域。该方法包括以下步骤：采用功率为2～10W的直流溅射在电池基片的缓冲层表面沉积厚度为5～15nm的透明导电薄膜形成透明电极缓冲层；采用射频溅射在所述透明电极缓冲层表面继续沉积透明导电薄膜形成透明电极薄膜层。本发明的方法在溅射透明导电薄膜之前采用超低频直流溅射替代射频溅射制备超薄透明电极缓冲层，达到对电池光电学性能影响较小的情况下有效降低射频溅射对电池基片表面和内部材料的溅射损伤，降低接触电阻，使得电池性能提高且光学性能优异。
- 一种图案化低熔点合金电极的制备方法及刮涂组件-202310190307.1
- 邓巍巍;赵新彦;刘霖娜;于博洋 - 南方科技大学
- 2023-02-22 - 2023-07-04 - H10K71/60
- 本发明公开一种图案化低熔点合金电极的制备方法及刮涂组件，所述图案化低熔点合金电极的制备方法包括步骤：提供基底和液态的低熔点合金；将具有预设图案的掩模叠设在基底上；在空气环境下，将液态的低熔点合金施加到掩模的一端，利用柔性刮片将液态的低熔点合金从掩模的一端刮涂到另一端，去除掩模后，得到图案化低熔点合金电极；其中，液态的低熔点合金在柔性刮片上的接触角大于100°，液态的低熔点合金在柔性刮片上的接触角大于液态的低熔点合金在掩模上的接触角。本发明在空气环境下首次实现利用刮涂法制备低熔点合金电极，并结合掩模实现图案化低熔点合金电极的制备，可控性和重复性强，制备方法简单，操作方便。
- 顶部发射有机EL元件及其制造方法-201811424379.3
- 石仓淳理;越智法彦;柴田尚存;诸桥将之;近藤茂树 - 佳能株式会社
- 2018-11-27 - 2023-07-04 - H10K71/60
- 公开了顶部发射有机EL元件及其制造方法。顶部发射有机EL元件的制造方法包括：在基板上提供绝缘层的步骤，处理提供有该绝缘层的区域内的中心区域的处理步骤，在绝缘层上形成隔堤的步骤，下部电极材料施加步骤，发光材料施加步骤，以及上部透明电极形成步骤。提供绝缘层以使得与在形成下部电极时要施加的溶液的接触角在该区域内的中心区域处比在周边区域处小。
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