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[发明专利]一种带隔离槽的micro LED及其制备方法-CN202310733992.8在审
发明人：郑本陪;王仕伟;冯璐阳;刘成元;魏金婷;刘胜芳;赵铮涛 -专利权人：安徽熙泰智能科技有限公司
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种带隔离槽的micro LED及其制备方法，包括LED组件和IC组件，LED组件和IC组件通过键合连接，其特征在于：所述IC组件包括IC层，在IC层上边缘设有IC阴极环，中部设有阳极金属，在IC层键合面一侧设有IC钝化层，所述IC阴极环与IC阳极金属上设有键合凹槽，在所述IC钝化层上位于每个IC阳极金属周圈均设有第一隔离槽。本发明带隔离槽的micro LED及其制备方法，结构简单，有效防止键合过程中像素点之间直接相互导通或正负极短路的情况，具有较强的实用性和较好的应用前景。
一种隔离 micro led 及其制备方法

[发明专利]一种硅基OLED微腔阳极结构的制备方法-CN202310697321.0在审
发明人：张亚飞;刘晓佳;刘胜芳;赵铮涛 -专利权人：安徽熙泰智能科技有限公司
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H10K71/60 文献下载
摘要：一种硅基OLED微腔阳极结构的制备方法，属于硅基OLED微腔器件技术领域，该硅基OLED微腔阳极结构的制备方法，包括以下步骤：在衬底上进行黄光制程，保留衬底上两相邻子像素之间的光刻胶；沉积金属反射层后，沉积多层导电膜层，在相邻两层导电膜层沉积之间进行包括负性光刻胶涂布的黄光制程以保留一种子像素上方的负性光刻胶；去除光刻胶后得到微腔阳极结构，本发明的有益效果是，本发明减少了工艺流程，提高了制备效率，减少干法刻蚀设备和化学气相沉积设备数量，降低了制备成本，而且可以增加产品良率及性能。
一种 oled 阳极结构制备方法

[实用新型]硅基微显示器的像素点修复电路及硅基微显示器-CN202320102914.3有效
发明人：李光;刘胜芳;赵铮涛 -专利权人：安徽熙泰智能科技有限公司
申请日： 2023-02-02 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H10K59/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅基微显示器的像素点修复电路及硅基微显示器，包括熔丝结构(1)和反熔丝结构(2)，所述熔丝结构(1)串接在Pixel电路和像素点阳极之间；在像素点阳极引出端子经反熔丝结构(2)连接至备用电路；通过大电流流过熔丝结构(1)和/或反熔丝结构(2)来实现对于像素点的修复。本实用新型的优点在于：结构简单、实现方便，通过熔丝结构和反熔丝结构来实现对于硅基微显示器的像素点进行修复，修复准确可靠且不会影响周边其他像素的正常工作；可以修复像素点中的暗点和亮点等不良缺陷，提高显示屏的合格率。
硅基微显示器像素修复电路

[发明专利]一种无需衬底剥离的共阴极micro LED及其制备方法-CN202310591443.1在审
发明人：郑本陪;王仕伟;冯璐阳;刘成元;刘胜芳;赵铮涛 -专利权人：安徽熙泰智能科技有限公司
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开了无需衬底剥离的共阴极micro LED及其制备方法，采用晶圆形式进行外延衬底与IC键合、采用共阴极P‑GaN出光结构；共阴极micro LED在非像素点位置进行衬底开孔，再沉积LED P电极连接P‑GaN与IC阳极导电孔。采用上述技术方案，不进行外延衬底去除，不会损伤外延层、避免影响micro‑led性能，不会损伤像素点，避免像素点脱落；衬底与IC的键合面积更大、键合更牢固；整片晶圆键合对键合机精度要求较低；采用共阴极P‑GaN出光设计，保证出光效率又不会损伤量子阱层；在非像素点位置进行衬底开孔，再沉积LED P电极连接P‑GaN与IC阳极导电孔，有效避免像素点损伤。
一种无需衬底剥离阴极 micro led 及其制备方法

[发明专利]阴极环围挡内部填充柔性树脂胶的micro LED及其制备方法-CN202310591466.2在审
发明人：郑本陪;王仕伟;冯璐阳;刘成元;刘胜芳;赵铮涛 -专利权人：安徽熙泰智能科技有限公司
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开了阴极环围挡内部填充柔性树脂胶的micro LED及其制备方法，其中，阴极环设置成围挡结构；在阴极环的一个对角位置，避开键合点设置开口结构；在键合后，向所述的围挡结构的内部填充柔性绝缘树脂胶材料，且充分扩散浸润填满整个空腔。采用上述技术方案，在键合后向其内部填充柔性绝缘树脂胶材料且充分扩散浸润填满空腔，进一步增强柔性绝缘树脂胶材料的充分扩散浸润填充的效果；避免产生扩张力将LED与IC顶开；LED与IC会受到向内收缩的力从而增强键合效果、避免键合不良；有效减少内部结构损伤，衬底剥离时像素点之间被树脂连接加固，有效避免像素点脱落。
阴极环围挡内部填充柔性树脂 micro led 及其制备方法

[发明专利]一种适用于Micro OLED显示器的高可靠性打线Pad结构及其制备方法-CN202310393150.2在审
发明人：李雪原;吕迅;岳小帅;朱平;刘胜芳;赵铮涛 -专利权人：安徽熙泰智能科技有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于Micro OLED显示器的高可靠性打线Pad结构及其制备方法，通过在打线金属线PAD上方设置无机层，通过刻蚀方式，使得无机层在打线金属线PAD上方形成特殊的瓮结构，通过设置的这种特殊瓮结构，一方面限制了第一焊点金属球的外部轮廓大小，减少了相邻焊点金属球的搭接短路可能；另一方面，限制了单个金属球的垂直运动导致虚焊的可能，从而提升产品的可靠性。
一种适用于 micro oled 显示器可靠性 pad 结构及其制备方法

[发明专利]一种Micro OLED去除杂质颗粒的基板前处理装置及处理方法-CN202110219284.3有效
发明人：李雪原;邱天霜;郭向阳;林挺;刘胜芳;赵铮涛 -专利权人：安徽熙泰智能科技有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种Micro OLED去除杂质颗粒的基板前处理装置及处理方法，具有：表面处理模块，能够向基板发射等离子流；赋电模块，能够对基板上的杂质颗粒附加电荷；磁场模块，能够对基板上的带电杂质颗粒施加电磁力；输送机构，能够使基板在表面处理模块、赋电模块、磁场模块内输送；基板能够在赋电模块和磁场模块之间往复运动，减少基板表面杂质颗粒，提高产品良品率，同时，在基板表面赋予电荷的同时，可以减小其表面能，使得后续界面接触更加紧密。
一种 micro oled 去除杂质颗粒基板前处理装置方法

[发明专利]一种硅基OLED微显示器件膜层去除工艺-CN202110552095.8有效
发明人：曹贺;刘晓佳;吕迅;刘胜芳;赵铮涛;潘倩倩 -专利权人：安徽熙泰智能科技有限公司
申请日： 2021-05-20 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：一种硅基OLED微显示器件膜层去除工艺，属于硅基OLED微显示器件制备技术领域，该膜层去除工艺包括将待处理的晶圆上料并定位在作业平台上，并完成激光对位；启动激光系统，对目标膜层采用单点多次激光作业，去除目标膜层，同时对作业区域进行氮气吹扫；对激光去除膜层完成的晶圆进行湿法清洗作业；对清洗完成的晶圆进行烘烤作业；本发明的有益效果是，该膜层去除工艺简单，膜层去除效率高，可避免刻蚀不良及封装层损伤异常，提高了产品良率，同时降低了工艺成本。
一种 oled 显示器件去除工艺

[发明专利]一种OLED显示器焊接异常检测结构及制备、检测方法-CN202310298113.3在审
发明人：李雪原;朱平;石磊;刘胜芳;赵铮涛 -专利权人：安徽熙泰智能科技有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H10K59/10 文献下载
摘要：一种OLED显示器焊接异常检测结构及制备、检测方法，属于OLED显示器技术领域，该OLED显示器焊接异常检测结构，包括印制电路板及其上相连的显示屏，所述显示屏上的多个金属PAD与所述印制电路板上对应的金手指通过金属线相连，多根金属线上覆盖有保护胶层Ⅰ，所述保护胶层Ⅰ外侧的显示器上设置有多个与所述金属PAD一一对应且电连接的测试点位Ⅰ，所述保护胶层Ⅰ外侧的印制电路板上设置有多个与所述金手指一一对应且电连接的测试点位Ⅱ，本发明的有益效果是，本发明通过在电连接的印制电路板和显示屏上设置额外测试点位，通过电学方法对产品每一根金属线的通断状态进行检测，检测方法简单、成本低，保证了检测结果的可靠性。
一种 oled 显示器焊接异常检测结构制备方法

[发明专利]一种硅基微显示器的像素点修复电路及硅基微显示器-CN202310052454.2在审
发明人：李光;刘胜芳;赵铮涛 -专利权人：安徽熙泰智能科技有限公司
申请日： 2023-02-02 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10K59/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基微显示器的像素点修复电路，包括熔丝结构1和反熔丝结构2，所述熔丝结构1串接在Pixel电路和像素点阳极之间；在像素点阳极引出端子经反熔丝结构2连接至备用电路；通过大电流流过熔丝结构1和或反熔丝结构2来实现对于像素点的修复。本发明的优点在于：结构简单、实现方便，通过熔丝结构和反熔丝结构来实现对于硅基微显示器的像素点进行修复，修复准确可靠且不会影响周边其他像素的正常工作；可以修复像素点中的暗点和亮点等不良缺陷，提高显示屏的合格率。
一种硅基微显示器像素修复电路

[发明专利]一种全彩硅基OLED显示器件和全彩硅基OLED显示方法-CN202011122344.1有效
发明人： 赵铮涛;刘胜芳;李维维;刘晓佳;吕磊;许嵩 -专利权人：安徽熙泰智能科技有限公司
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10K50/81 文献下载
摘要：本发明公开了一种全彩硅基OLED显示器件和全彩硅基OLED显示方法，其中，所述全彩硅基OLED显示器件包括：从下至上依次叠加的基板、金属阳极、有机功能层、金属阴极、TFE封装层以及滤光片层；所述金属阳极包括：两种不同厚度的第一ITO阳极层和第二ITO阳极层；所述滤光片层包括：红色滤光片和蓝色滤光片，所述红色滤光片和所述蓝色滤光片分别涂覆在所述TFE封装层上与所述第一ITO阳极层所对应的发光区域。该显示器件克服现有技术中的全彩硅基OLED显示中，由于RGB三种颜色的光对应不同的厚度的光学微腔，使得单一光学厚度的顶发射结构的白光OLED容易出现颜色漂移现象的问题。
一种全彩 oled 显示器件方法

[发明专利]一种硅基OLED微显示器件切割方法-CN202310035047.0在审
发明人：叶成;刘晓佳;邵亚飞;刘杰;刘胜芳;赵铮涛 -专利权人：安徽熙泰智能科技有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基OLED微显示器件切割方法，其首先将晶圆与玻璃盖板在真空腔室中对位贴合再UV热固化；而后在晶圆背面贴上UV膜；之后选用砂轮切割，对玻璃盖板邦定区进行半切；另取UV膜粘贴在邦定区，揭下邦定区上的UV膜，带下其上粘附的玻璃碎屑；最后对玻璃盖板和晶圆进行全切割操作，本发明采用砂轮切割的方式，先将邦定区玻璃进行切割去除，然后再对盖板玻璃和晶圆进行全切割，可以有效减少在切割过程中的邦定区玻璃受挤压而导致的玻璃崩边；整体切割操作过程中，无需玻璃盖板和晶圆进行裂片操作，免了因为玻璃裂片造成的邦定区pad压伤和划伤风险，提高了产品良率，增加了产品的可靠性。
一种 oled 显示器件切割方法

[发明专利]一种硅基OLED微显示器件结构及其制备方法-CN202310271148.8在审
发明人：张亚飞;刘晓佳;刘胜芳;赵铮涛 -专利权人：安徽熙泰智能科技有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H10K50/84 文献下载
摘要：一种硅基OLED微显示器件结构及其制备方法，属于Micro OLED显示器技术领域，该硅基OLED微显示器件结构，包括CMOS基板，所述CMOS基板上设有阳极层和PDL层，所述阳极层的相邻子像素之间的PDL层上设置凹坑结构，所述PDL层和阳极层上覆盖断裂的有机发光层，所述PDL层和有机发光层上覆盖有连续的阴极层，本发明的有益效果是，本发明可保证PDL层阳极侧的倒角角度小且平滑，可确保阴极在PDL层处爬坡平缓，可改善阴极夹断异常，而且可以确保有机发光材料在PDL层各有机胶层处发生断裂，而阴极无断裂，避免发生串光现象。
一种 oled 显示器件结构及其制备方法

[实用新型]一种叠层OLED器件-CN202223033920.2有效
发明人：李雪原;吕磊;朱平;李维维;刘胜芳;赵铮涛 -专利权人：安徽熙泰智能科技有限公司
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10K59/122 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种叠层OLED器件，依次由背板、阳极、第一单层OLED、CGL层、第二单层OLED和阴极构成，所述阳极的间隙内设由背板延伸至第一单层OLED的碳纳米管层。本实用新型通过碳纳米管材料有优越的纵向导电性，解决了叠层器件CGL材料的横向导电性，消除了叠层器件结构的电学串扰，提升产品光电性能。
一种 oled 器件

[发明专利]一种碳纳米管复合电荷产生层及其制备方法、叠层OLED器件-CN202211658367.3在审
发明人：李雪原;吕磊;朱平;李维维;刘胜芳;赵铮涛 -专利权人：安徽熙泰智能科技有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H10K71/10 文献下载
摘要：本发明提供的一种碳纳米管复合电荷产生层及其制备方法和在叠层OLED器件的应用，制备方法为：将三氧化二铁负载碳纳米管复合材料置于溶剂中，得到的溶液喷涂于基底表面，干燥，得到改性基膜；将改性基膜置于固定方向、固定频率的磁场下，获得碳纳米管取向性排列的改性基膜；采用高真空蒸镀的方式制备得到碳纳米管复合电荷产生层。与现有技术相比，本发明的通过获得规律排列的碳纳米管材料，运用其轴向导电性远远高于径向导电性的特性，使用传统的蒸镀工艺，通过热蒸发的方式，将CGL制备在排布规律的碳纳米管层之上即可。从而降低CGL的电学串扰(横向导电性)，提升叠层OLED器件的性能。
一种纳米复合电荷产生及其制备方法 oled 器件

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