[发明专利]一种高导电效率的GaN基HEMT芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202110631801.8 | 申请日： | 2021-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN113257894A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 迟晓丽;关仕汉;薛涛 | 申请（专利权）人： | 淄博汉林半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 淄博川诚知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 37275 | 代理人： | 高鹏飞 |
| 地址： | 255000 山东省淄博市高*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高导电效率的GaN基HEMT芯片及其制备方法，包括硅基衬底，外延层，所述外延层包括GaN外延层和AlGaN外延层，所述GaN外延层表面均匀开设有沟槽，所述AlGaN外延层固定连接于GaN外延层表面开设的沟槽中，其中，所述GaN外延层固定连接于硅基衬底顶端表面；本发明通过采用GaN外延层刻蚀沟槽的方法实现了凹凸不平的AlGaN/GaN外延层设计，增加了AlGaN外延层和GaN外延层接触面积，增加了外延层中的二维电子气密度，提高了芯片导通的电流密度，提高了GaN基HEMT芯片的导电效率；同时该设计也增加了AlGaN外延层和GaN外延层接触面积，增加了外延层中的二维电子气面积，在兼顾了芯片的耐压能力下，该设计可节省部分芯片面积，可降低GaN基HEMT芯片的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导电 效率 gan hemt 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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