[发明专利]半导体激光列阵及其制备方法有效
| 申请号： | 202110542322.9 | 申请日： | 2021-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN113258447B | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 贾鹏;梁磊;陈泳屹;秦莉;宁永强;王立军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01S5/40 | 分类号： | H01S5/40;H01S5/20;H01S5/22 |
| 代理公司： | 长春中科长光知识产权代理事务所(普通合伙) 22218 | 代理人： | 高一明;郭婷 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体激光列阵及其制备方法，其中的半导体激光列阵包括外延结构，在外延结构上制备有激光器波导结构，激光器波导结构包括沿外延结构的宽度方向从激光器波导结构的反射面至出射面刻蚀而成的变周期高阶光栅阵列和脊形增益波导阵列，变周期高阶光栅阵列的周期由中心向两侧逐渐增大，使得半导体激光列阵的输出激光的光谱未超出碱金属元素的吸收光谱范围；脊形增益波导阵列用于增益放大半导体激光列阵的输出激光的功率。本发明提供的半导体激光列阵能够保证输出激光的光谱线宽小于0.5nm，未超出碱金属元素的吸收光谱范围，且激光光谱的中心波长与碱金属元素的吸收光谱峰值基本重合，有效提高泵浦激光列阵与碱金属元素的光‑光耦合效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 列阵 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，未经中国科学院长春光学精密机械与物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110542322.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
