[发明专利]具有分段延伸区的晶体管在审
| 申请号： | 202110509973.8 | 申请日： | 2021-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN113809158A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 亨利·奥尔德里奇;约翰·J·艾利斯-蒙纳翰;M·J·阿布-哈利勒 | 申请（专利权）人： | 格芯（美国）集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有分段延伸区的晶体管，涉及场效应晶体管的结构以及形成场效应晶体管的结构的方法。在衬底的沟道区上方形成栅极结构。在与该栅极结构的第一侧壁相邻的该衬底中定位第一源极/漏极区，在与该栅极结构的第二侧壁相邻的该衬底中定位第二源极/漏极区，以及在该衬底中定位延伸区。该延伸区包括分别与该第一源极/漏极区叠置的第一及第二区段。该延伸区的该第一与第二区段沿该栅极结构的纵轴隔开。在该延伸区的该第一与第二区段之间沿该栅极结构的该纵轴定位该沟道区的部分。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 分段 延伸 晶体管 | ||
【主权项】：
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