[发明专利]微电子电路中的互连部的钴填充在审

专利信息
申请号: 202110503914.X 申请日: 2016-06-30
公开(公告)号: CN113215626A 公开(公告)日: 2021-08-06
发明(设计)人: J·科曼得;小V·潘恩卡修;E·路亚;K·惠顿;孙绍鹏;韩剑文 申请(专利权)人: 麦德美乐思公司
主分类号: C25D3/16 分类号: C25D3/16;C25D7/12
代理公司: 北京世峰知识产权代理有限公司 11713 代理人: 王建秀;王思琪
地址: 美国康*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明涉及微电子电路中的互连部的钴填充。用于将钴沉积物电镀到包括亚微米级的电互连部件的半导体基础结构上的工艺和组合物。在该工艺中,互连部件内的金属化基底与电沉积组合物接触,所述电沉积组合物包括钴离子源、包含有机硫化合物的促进剂、炔属抑制剂、缓冲剂和水。将电流提供给电解组合物以将钴沉积到基础结构上并用钴填充亚微米级的部件。该工艺对于超填充互连部件是有效的。
搜索关键词: 微电子 电路 中的 互连 填充
【主权项】:
暂无信息
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说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

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