[发明专利]一种锑化物量子阱CMOS器件的结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202110480285.3 | 申请日： | 2021-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN113193041A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 张静 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/06;H01L29/201;H01L27/092;H01L21/8252 |
| 代理公司： | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 | 代理人： | 梁静 |
| 地址： | 710021 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锑化物量子阱CMOS器件的结构及其制备方法，属于微电子技术领域。所述器件结构包括：衬底；所述衬底上设有缓冲层；所述缓冲层上相对独立的设置有p沟道锑化物量子阱层和n沟道锑化物量子阱层；所述p沟道锑化物量子阱层和n沟道锑化物量子阱层之间设有钝化隔离层。本发明提供的锑化物量子阱结构一方面可以通过组分调控降低晶格失配造成的位错密度，另一方面通过势垒层将沟道与高k栅介质有效隔离，在沟道表面形成二维电子/空穴气，从而提升迁移率，使得器件性能提高。本发明还提供一种锑化物量子阱CMOS器件的制备方法，实现了同体系n沟道和p沟道材料的外延生长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 锑化物 量子 cmos 器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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