[发明专利]存储器件的制作方法有效
| 申请号： | 202110446879.2 | 申请日： | 2021-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN113241349B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 徐晓俊;任小兵;熊伟;陈华伦 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11536 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种存储器件的制作方法，包括：采用光刻工艺在衬底上覆盖光阻，暴露出衬底上的第一区域，衬底包括所述第一区域、第二区域和第三区域，第一区域是用于形成第一类型的逻辑器件的区域，第二区域是用于形成第二类型的逻辑器件的区域，第三区域是用于形成存储单元的区域；进行浅结注入；进行第一LDD注入，去除光阻；采用光刻工艺在衬底上覆盖光阻，暴露出第二区域；进行浅结注入；进行第二LDD注入，去除光阻；进行SD注入。本申请通过对第一类型的逻辑器件所在的第一区域和第二类型的逻辑器件所在的第二区域分别进行浅结注入形成浅结，从而避免了全局SD注入所导致的全局浅结注入渗透至存储器件区域致使器件可靠性下降的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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