[发明专利]液晶高分子薄膜电气图样制造方法在审

专利信息
申请号: 202110430490.9 申请日: 2021-04-21
公开(公告)号: CN115226313A 公开(公告)日: 2022-10-21
发明(设计)人: 张有谅;柳国富 申请(专利权)人: 张有谅;柳国富;蔡约瑟;深圳市光鼎智能精密科技有限公司
主分类号: H05K3/14 分类号: H05K3/14;H05K1/11
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 一种液晶高分子薄膜电气图样制造方法,取用以液晶高分子聚合物所制成的液晶高分子薄膜,在液晶高分子薄膜的表面形成遮蔽层,并于遮蔽层上依据图样形状制成镂空图案,利用常温气压熔射法,以加压气体吹送熔融金属形成的金属粒子,将金属粒子通过遮蔽层的镂空图案,以喷覆固着于液晶高分子薄膜对应表面上而形成金属分子键合层,并且金属分子键合层瞬间降温成电气图样,然后移除液晶高分子薄膜上的遮蔽层,再取出具有电气图样的液晶高分子薄膜。
搜索关键词: 液晶 高分子 薄膜 电气 图样 制造 方法
【主权项】:
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  • 公开了一种精细布线形成方法,包括:通过激光化学气相沉积(LCVD)供给包括多种金属元素的源气体,同时在基板形成包括多种金属元素的合金布线的步骤;以及在包括所述合金布线的区域实施激光热处理的步骤。根据本发明的精细布线形成方法,首次通过LCVD方式形成精细布线的同时通过沉积合金在短时间内以窄宽度生长高厚度以达成良好的膜质,通过后续激光热处理修复精细布线内部的膜质缺陷,改善组织密度以及膜质,可提高膜质均匀度与导电稳定性,调节照射宽度与功率强度以及照射方式,在部分熔融的过程中可使图案聚集的同时可将精细布线的线宽降低至2μm以下。
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