[发明专利]一种功率半导体模块制造方法在审
| 申请号： | 202110349044.5 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113097079A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 雷光寅;邹强;范志斌 | 申请（专利权）人： | 光华临港工程应用技术研发（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/367;H01L23/473 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 薛异荣 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种功率半导体模块制造方法，包括以下步骤：提供散热基板，在散热基板一侧表面设置功率半导体芯片；在散热基板背向功率半导体芯片的一侧形成预制水道层，预制水道层具有多个贯通预制水道层的异形槽，异形槽暴露散热基板背向功率半导体芯片一侧的表面；以导热材料填充各个异形槽，形成多个连接散热基板的异形散热片；在预制水道层朝向散热基板一侧表面形成顶封装层，顶封装层包覆散热基板和功率半导体芯片；在预制水道层背向散热基板一侧表面形成底封装层，底封装层覆盖预制水道层背向功率半导体芯片一侧的表面；去除预制水道层，形成水道。本方法可以实现具有异形散热片的功率半导体模块的形成，降低了异形散热片的形成难度，节省了工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体 模块 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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