[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构有效
| 申请号： | 202110348261.2 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113097146B | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 于业笑;刘忠明;曹新满;方嘉;张家云 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 孟秀娟;刘芳 |
| 地址： | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，涉及半导体技术领域，该半导体结构的制备方法包括提供基底、第一掩膜版和第二掩膜版，分别以第一掩膜板和第二掩膜版刻蚀基底，以在基底上形成第一凹槽和第二凹槽，基底中第一凹槽和第二凹槽所在的区域构成位线凹槽；在位线凹槽内形成导电层。本发明通过使第一掩膜版具有多个沿第一方向的第一掩膜条，第二掩膜版上具有多个沿第二方向的第二掩膜条，第一掩膜条和第二掩膜条在基底上投影相交，当利用第二掩膜版作为掩膜蚀刻基底时，即使第二掩膜版沿第一方向或者第二方向发生偏移，也不会改变位线凹槽的图形结构，提高了图案转移的准确性，进而保证了位线结构的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
