[发明专利]灰度掩模图形在审

申请号：	202110346096.7	申请日：	2021-03-31
公开（公告）号：	CN113093468A	公开（公告）日：	2021-07-09
发明（设计）人：	张雪;王辉	申请（专利权）人：	上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号：	G03F1/32	分类号：	G03F1/32
代理公司：	上海浦一知识产权代理有限公司 31211	代理人：	焦健
地址：	201203 上海市浦东***	国省代码：	上海;31
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摘要：	本发明公开了一种灰度掩模图形，在掩膜版上制作用于光刻形成具有一定倾角的斜坡；所述灰度掩膜图形的中心为一正方形结构，在所述正方形的四周分别排布有多行及多列的小尺寸的矩形孔结构阵列；以上边为初始、顺时针方向依次定义正方形的四条侧边分别为上侧边、右侧边、下侧边及左侧边；在正方形结构的上侧边外侧，定义平行于上侧边的为行，所述上侧边的外侧具有不少于3行的矩形孔结构；于同一行上的矩形孔结构具有相同的尺寸，位于不同行上的矩形孔结构具有不同的尺寸；所述矩形孔结构的尺寸，是从整个灰度掩膜图形的中心处往外侧方向不同行上的矩形孔结构尺寸逐渐缩小。通过设置不同行的矩形孔结构尺寸大小组合，能形成不同倾角的斜坡。
搜索关键词：	灰度图形
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摘要：本发明属于光学技术领域，本发明公开了一种基于聚合物液晶的灰阶掩模及其制备方法。本发明提供了一种基于聚合物液晶的灰阶掩模，包括聚合物液晶层、光取向层、基板和线偏振片。本发明还提供了所述灰阶掩模的制备方法，所述基板一面涂覆有聚合物液晶层，该聚合物液晶层可通过干涉曝光技术携带任意图形的波前，基板的另一面结合线偏振片，将通过光束的偏振分布转变为强度分布。本发明所述灰阶掩模提供连续的光强变化，可以在光刻胶上形成连续的微浮雕结构。所述方法制作简单，精度高，成本低，经过一次光刻过程就能得到所需的连续微浮雕结构，可用于批量化生产。

拼接式光刻制作工艺的光掩模、半色调光掩模及其制法-201810126963.4
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申请日： 2018-02-08 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G03F1/32
摘要：本发明公开一种用于拼接式光刻制作工艺的光掩模、半色调光掩模及其制作方法，该用于拼接式光刻制作工艺的光掩模，其用来将布局图转移至基底上，其中布局图包括重复并排的图案单元。光掩模包括透光基材、遮光层以及半色调层。透光基材表面定义有至少一曝光区、至少一遮光区以及作为曝光区与遮光区边界的拼接线。遮光层设置在透光基材表面且至少设于遮光区，且遮光层于透光基材表面的投影范围不同于遮光区的范围。部分半色调层设于曝光区内且其图案对应于布局图的图案单元。当光掩模应用于拼接式光刻制作工艺时，是利用拼接线作为拼接边界进行多次曝光，以在基底上形成互相拼接且对应图案单元的转移图案。

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摘要：本发明提供一种光掩模及其制造方法、图案转印方法、显示装置的制造方法。所述光掩模具有用于在被转印体上形成线宽Wp的器件图案的转印用图案，器件图案的线宽Wp与构成转印用图案的第1空白图案的线宽Wm之间的关系满足下述式(1)和式(2)：Wp＜10μm…(1)1≤(Wm－Wp)/2≤4(μm)…(2)。

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摘要：本实用新型公开了一种采集器及渐进式光罩结构，所述采集器包括微透镜、基底层和与基底层连接的读出电路；基底层的一侧设置有感光区域，另一侧设置有微透镜，以使得入射光束经过微透镜汇聚入射至感光区域；其中，微透镜包括氧化物层和呈半球状的氮化物层；氧化物层设置于基底层上，氮化物层覆盖于氧化物层背离基底层的一面。本实用新型通过所述氧化物层与所述氮化物层连接且整体呈半球状的设置方式，使其能够在工厂内一次性完成镜头的制作，从而简化微透镜制备过程，提高生产效率且降低成本。

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申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G03F1/32
摘要：本发明提供了一种掩膜板、曝光方法、装置、显示基板、制作方法、装置，属于显示技术领域。掩膜板，包括：掩膜板本体，掩膜板本体包括第一透光区域和第二透光区域，第一透光区域的透光率大于第二透光区域的透光率；位于掩膜板本体的一侧表面上的第一滤光图形和第二滤光图形，第一滤光图形仅允许通过第一波段的光，第二滤光图形仅允许通过第二波段的光，第一波段与第二波段不同；第一滤光图形在掩膜板本体上的正投影完全覆盖第一透光区域，且与第二透光区域不重合，第二滤光图形在掩膜板本体上的正投影完全覆盖第二透光区域，且与第一透光区域不重合。本发明的技术方案能够在不更换掩膜板的情况下实现调节主隔垫物和辅隔垫物的高度差及尺寸。

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申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G03F1/32
摘要：本发明为半色调相移掩模坯和半色调相移掩模。提供包括透明基板和在其上的半色调相移膜的半色调相移掩模坯。所述半色调相移膜包括至少一个由硅系材料组成并且具有≤1013Ω/□的薄层电阻的层，所述硅系材料具有≤3at％的过渡金属含量，≥90at％的Si+N+O含量，30‑70at％的Si含量，30‑60at％的N+O含量，以及≤30at％的O含量。半色调相移膜在曝光于200nm以下的辐照时经历最小的图案尺寸变动劣化，并且具有耐化学品性和改进的加工性。

移相掩膜版及其制作方法-202110518601.1
发明人：黄早红;任新平 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G03F1/32
摘要：本发明提供一种移相掩膜版及其制作方法，移相掩膜版包括：透光基板；遮光层，覆盖于透光基板上以形成遮光区域，遮光层被去除并停止于透光基板表面的区域形成透光区域，遮光层被去除且其下方的透光基板被部分去除的区域形成第一移相区域；移相层，覆盖于透光区域以形成第二移相区域及覆盖于第一移相区域以形成第三移相区域，移相层使透过移相层的曝光光线产生相位转换或/及光衰减。本发明一方面可以避免“鬼影线”的产生，从而使得采用该移相掩膜版曝光所得的光致抗蚀图案的对比度和分辨率大大提高，另一方面，可以有效拓宽移相掩膜版的功能，使其可以满足各种不同应用场景的需求。

灰度掩模图形-202210806631.7
发明人：张雪;王辉;尹鹏 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司;华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G03F1/32
摘要：本发明公开了一种灰度掩模图形，在掩膜版上制作用于光刻形成具有一定倾角的斜坡；所述灰度掩膜图形的中心为一矩形结构，在所述矩形的两侧分别排布有多行及多列的小尺寸的方形孔结构阵列；于同一列上的方形孔结构具有相同的尺寸，位于不同列上的方形孔结构具有不同的尺寸；所述方形孔结构的尺寸，是从主图形往外侧方向不同列上的方形孔结构尺寸逐渐缩小。通过设置不同行的矩形孔结构尺寸大小组合，能形成不同倾角的斜坡。本发明经过数据验证，当方形孔结构阵列的总宽度与光刻胶的厚度接近1:1时，能形成倾角接近45度的侧面斜坡。

移相掩膜版及其制作方法-202110402081.8
发明人：黄早红;任新平 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日： 2021-04-14 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G03F1/32
摘要：本发明提供一种移相掩膜版及其制作方法，移相掩膜版包括：透明基板，透明基板定义有透光区域及与透光区域相邻的至少一个遮光区域；遮光层，覆盖于透明基板上的遮光区域；移相侧墙片，位于透光区域与遮光区域之间的遮光层的侧壁上，移相侧墙片使透过移相侧墙片的曝光光线产生相位转换或/及光衰减。本发明可以通过调整移相侧墙片的厚度和宽度来控制透光区域与遮光区域处的曝光光线的相位和对比，避免“鬼影线”的产生，从而使得采用该移相掩膜版曝光所得的光致抗蚀图案的对比度和分辨率大大提高。

光掩模坯料、光掩模的制造方法、及显示装置的制造方法-202210312054.6
发明人：田边胜;浅川敬司;安森顺一 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G03F1/32
摘要：本发明提供能够缩短对图案形成用薄膜进行微细图案(图案形成用薄膜图案)的湿法蚀刻时的蚀刻时间、具有高耐光性及耐化学药品性、并且能够形成具有接近垂直的边缘的截面形状及良好的LER的微细图案的显示装置制造用光掩模坯料。所述显示装置制造用光掩模坯料在透明基板上具有图案形成用薄膜，所述图案形成用薄膜由含有钛(Ti)、硅(Si)及氮(N)的材料形成，所述图案形成用薄膜具有柱状结构，所述图案形成用薄膜中所含的氧的含有率为7原子％以下。

多色调光掩模的制造方法以及多色调光掩模-202210192510.8
发明人：山田慎吾;上南亮太 -专利权人：株式会社SK电子
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G03F1/32
摘要：本发明提供能够无需对准的多色调光掩模的制造方法及多色调光掩模。多色调光掩模的制造方法包括：准备中间体的工序，中间体由下列层叠膜结构构成，即中间体具有：在透明基板2上层叠的半透膜3；具有与半透膜3不同的蚀刻特性、以在半透膜3上重合的方式进行层叠的中间膜4；具有与半透膜3相同的蚀刻特性、以使中间膜4的周边区域的至少一部分露出的方式在中间膜4上层叠的遮光膜5；且中间膜4的露出的部分的至少一部分具有越接近透明基板2其边缘4a越向外侧扩展的形状；将中间膜4的露出的部分分多次进行蚀刻并最终去除的工序；在除了最后一次或包括最后一次的各次蚀刻后对半透膜3的露出的部分进行等离子体处理，改变该部分的透射率的工序。

光掩模、显示装置的制造方法-202210373658.1
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摘要：本发明提供光掩模、显示装置的制造方法。光掩模具有在透明基板上形成的转印用图案，转印用图案包括：主图案，其由透光部构成，直径为W1；辅助图案，其配置在所述主图案的附近，不被曝光装置析像，具备宽度d；及遮光部，其构成除了主图案和辅助图案之外的区域，遮光部是在透明基板上至少形成遮光膜而成的，辅助图案隔着遮光部而包围主图案的周围，且由在透明基板上形成半透光膜而成的相移部构成，该半透光膜具有使曝光用光的代表波长的光在大致180度的范围内相移的相位特性，并且具有针对代表波长的光的透射率T，辅助图案的一部分区域的透射光量比辅助图案的其他区域的透射光量低，光掩模被实施了扩张主图案的宽度的扩张修正。

掩膜板、凸透镜的制备方法、凸透镜和显示面板-202210259094.9
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摘要：本申请提供一种掩膜板、凸透镜的制备方法、凸透镜和显示面板，涉及显示技术领域，用于解决微透镜制备工艺不成熟的问题。该掩膜板包括至少一个图案单元，所述图案单元包括多个遮光部，至少部分所述遮光部位于所述图案单元的中心，且多个所述遮光部沿远离所述图案单元的中心方向呈辐射状排布；相邻所述遮光部之间具有透光口，朝远离所述图案单元的中心的方向，所述透光口的开口尺寸逐渐增大。本申请便于在显示面板中制备凸透镜，丰富了凸透镜的制备工艺。

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摘要：本申请涉及半导体集成电路技术领域，具体涉及一种灰阶掩模版结构。灰阶掩模版结构包括遮光部、半透光部和透光部；半透光部位于遮光部和透光部之间，且半透光部围绕透光部的边缘设置；半透光部位的透光率，从半透光部靠近透光部的一侧至半透光部靠近遮光部的一侧逐渐递减；透光部的边缘形成边缘转角，半透光部包括与边缘转角相对应的半透光转角区，半透光转角区用于将相邻两个延伸方向不同的半透光侧边区相连；半透光转角区中设有多层透光率调整结构，多层透光率调整结构由靠近透光部的一侧至靠近遮光部的一侧逐层间隔排布；各层透光率调整结构的透光率，由靠近透光部的一侧至靠近遮光部的一侧逐层递减。

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摘要：本发明公开了一种掩膜版、阵列基板的制作方法及显示面板。其中，所述掩膜版包括：与所述沟道区域对应的第一曝光区、位于所述第一曝光区一侧的待形成源极的第二曝光区、位于所述第一曝光区相对的另一侧的待形成漏极的第三曝光区，以及位于所述第二曝光区部分边缘的与所述第一曝光区不重叠的第四曝光区，所述第一曝光区与所述第四曝光区均为半透光区域。本发明技术方案的掩膜版在曝光和显影的过程中，能使得部分光阻遗留在与第一曝光区和第四曝光区相对应的区域内，对待形成沟道区域和待形成源极的区域进行保护，从而保证源极的加工尺寸，提高源极与栅极形成的寄生电容的稳定性。

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发明人：尾岛省二郎;山田慎吾;森山久美子 -专利权人：株式会社SK电子
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： G03F1/32
摘要：本发明提供一种能够以抑制曝光时的重合误差的产生的方式形成具有不同光学特性的图案的光掩模的制造方法。在该光掩模的制造方法中，准备在透射性基片上具有半透射膜、中间膜、上层膜的光掩模坯件，对形成在上层膜上的光致抗蚀剂膜进行曝光，形成曝光量不同的第一区域、第二区域和第三区域。之后，选择性地去除第一区域，蚀刻上层膜。之后，选择性地去除第二区域，蚀刻半透射膜，且蚀刻上层膜和中间膜。之后，去除第三区域。

掩膜版、阵列基板的制造方法及阵列基板-202110702640.7
发明人：沈奇雨;袁海江 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： G03F1/32
摘要：本发明公开了一种掩膜版、阵列基板的制造方法及阵列基板，所述掩膜版上间隔设置有遮光区域以及透光区域，所述透光区域的边缘为齿状，所述透光区域的下方设置有半透膜以形成半透光区域，以使光线透过所述半透光区域照射在待曝光光阻层上，所述半透光区域对应于薄膜晶体管的有源层沟道区上方。本发明降低有源层沟道区的长度，提高薄膜晶体管的开态电流的技术效果。

掩膜板-202022100093.9
发明人：李威;宋小来;王士敏;朱泽力;古海裕 -专利权人：深圳莱宝高科技股份有限公司
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： G03F1/32
摘要：本实用新型涉及显示技术领域，提供一种掩膜板，包括板体，所述板体上布设有若干个图案单元，各所述图案单元上分别设置有掩膜，所述掩膜的半透率根据对应的所述图案单元进行适应性调整。本实用新型提供的掩膜板的板体上布设若干个图案单元，并在各个图案单元上分别设置半透率不同的掩膜，从而利用各个图案单元上不同半透率的掩膜以得到不同高度差的产品，即实现一块掩膜板能够满足多个高度差产品的需求。

大型相移掩膜-201810164294.X
发明人：木下一树;飞田敦;二岛悟 -专利权人：大日本印刷株式会社
申请日： 2012-12-21 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： G03F1/32
摘要：一种大型相移掩膜，提供一种抑制在利用半透明相移掩膜对图案进行曝光时出现的侧峰的产生的结构。在形成在透明基板上的半透明相移区域的两侧邻接地配置有透过区域的图案中，藉由将半透明相移区域的光透光率设为4％至30％的范围，将宽度设为1μm至5μm的范围，而实现改善曝光强度分布的对比度、同时抑制侧峰产生的结构。

灰度掩模图形-202110346096.7
发明人：张雪;王辉 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： G03F1/32
摘要：本发明公开了一种灰度掩模图形，在掩膜版上制作用于光刻形成具有一定倾角的斜坡；所述灰度掩膜图形的中心为一正方形结构，在所述正方形的四周分别排布有多行及多列的小尺寸的矩形孔结构阵列；以上边为初始、顺时针方向依次定义正方形的四条侧边分别为上侧边、右侧边、下侧边及左侧边；在正方形结构的上侧边外侧，定义平行于上侧边的为行，所述上侧边的外侧具有不少于3行的矩形孔结构；于同一行上的矩形孔结构具有相同的尺寸，位于不同行上的矩形孔结构具有不同的尺寸；所述矩形孔结构的尺寸，是从整个灰度掩膜图形的中心处往外侧方向不同行上的矩形孔结构尺寸逐渐缩小。通过设置不同行的矩形孔结构尺寸大小组合，能形成不同倾角的斜坡。

专利分类

G 物理

G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备

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[发明专利]灰度掩模图形在审

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