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[发明专利]布线基板和布线基板的制造方法-CN202180067541.4在审
发明人： 木下一树;饭村庆太;武诚司;川口修司;榊真史 -专利权人：大日本印刷株式会社
申请日： 2021-10-04 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01P11/00 文献下载
摘要：布线基板(10)具备：基板(11)；布线图案区域(20)，其配置在基板(11)上，包含多个布线(21)；以及多个虚设图案区域(30)，其配置在布线图案区域(20)的周围，与布线(21)在电气上独立。与布线图案区域(20)相邻的第1虚设图案区域(301)的开口率(A21)为布线图案区域(20)的开口率(A1)以上。另外，与第1虚设图案区域(301)相邻并且比第1虚设图案区域(301)远离布线图案区域(20)的第2虚设图案区域(302)的开口率(A22)比第1虚设图案区域(301)的开口率(A21)大。
布线制造方法

[发明专利]玻璃再生处理方法、再生玻璃基板及使用其的光掩模坯料和光掩模-CN201811229615.6有效
发明人： 木下一树;二岛悟;青木阳祐;板仓敬二郎 -专利权人：大日本印刷株式会社
申请日： 2013-09-19 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： G03F1/60 文献下载
摘要：本发明涉及为了将在各种平板的生产中使用完的光掩模或在光掩模制造工序中成为不良的光掩模作为新型光掩模用玻璃基板再利用而进行再生处理的方法、利用该再生处理方法所再生的光掩模用玻璃基板、以及使用该光掩模用玻璃基板的光掩模用坯料及光掩模。通过对再生玻璃基板的表面未进行以往的物理性研磨处理而进行使润湿性均匀化直至在呼气像检查中不出现原本图案痕迹的处理，能够以低成本获得缺陷少的再生玻璃基板。
玻璃再生处理方法使用光掩模坯料

[发明专利]大型相移掩膜-CN201810164294.X有效
发明人： 木下一树;飞田敦;二岛悟 -专利权人：大日本印刷株式会社
申请日： 2012-12-21 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：一种大型相移掩膜，提供一种抑制在利用半透明相移掩膜对图案进行曝光时出现的侧峰的产生的结构。在形成在透明基板上的半透明相移区域的两侧邻接地配置有透过区域的图案中，藉由将半透明相移区域的光透光率设为4％至30％的范围，将宽度设为1μm至5μm的范围，而实现改善曝光强度分布的对比度、同时抑制侧峰产生的结构。
大型相移

[发明专利]大型相移掩模及大型相移掩模的制造方法-CN201910135819.1在审
发明人： 木下一树;飞田敦;二岛悟 -专利权人：大日本印刷株式会社
申请日： 2012-10-19 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明提供一种作为曝光大尺寸区域的大型光掩模且适合形成微细图案的构成的相移掩模及其制造方法。藉由构成为遮光膜以铬或铬化合物为主成分，相移膜以氧化铬乃至氮氧化铬为主成分，且在上述遮光区域中在遮光膜上层叠有相移膜，而获得容易制造且可转印微细图案的大型相移掩模。另外，在遮光膜与相移膜之间，构成为还具有包含铬化合物的抗反射膜，抑制遮光区域的反射率。
相移掩模遮光膜相移铬化合物微细图案遮光区域制造大尺寸区域抗反射膜氮氧化反射率光掩模氧化铬转印上层曝光

[发明专利]玻璃再生处理方法、再生玻璃基板及使用其的光掩模坯料和光掩模-CN201380047359.8有效
发明人： 木下一树;二岛悟;青木阳祐;板仓敬二郎 -专利权人：大日本印刷株式会社
申请日： 2013-09-19 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： G03F1/68 文献下载
摘要：本发明涉及为了将在各种平板的生产中使用完的光掩模或在光掩模制造工序中成为不良的光掩模作为新型光掩模用玻璃基板再利用而进行再生处理的方法、利用该再生处理方法所再生的光掩模用玻璃基板、以及使用该光掩模用玻璃基板的光掩模用坯料及光掩模。通过对再生玻璃基板的表面未进行以往的物理性研磨处理而进行使润湿性均匀化直至在呼气像检查中不出现原本图案痕迹的处理，能够以低成本获得缺陷少的再生玻璃基板。
光掩模玻璃基板再生玻璃再生处理基板光掩模制造工序光掩模坯料图案痕迹研磨处理低成本均匀化润湿性物理性再利用呼气坯料玻璃再生检查生产

[发明专利]相移掩模及使用该相移掩模的抗蚀图案形成方法-CN201811233402.0在审
发明人： 木下一树;飞田敦 -专利权人：大日本印刷株式会社
申请日： 2013-02-15 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： G03F1/34 文献下载
摘要：本发明提供一种可使用现有的图像显示装置制造用曝光装置，在透明基板等被加工材上，以高精度形成具有未达到该曝光装置分辨率极限的尺寸的给定抗蚀图案的相移掩模及使用该相移掩模的抗蚀图案形成方法。未达到曝光装置分辨率极限的设计尺寸的抗蚀图案形成用相移掩模具备：透明基板、对来自曝光装置的曝光的光赋予给定的相位差的相移部、以及邻接于相移部的非相移部，相移部及非相移部当中的至少任一者为未达到曝光装置分辨率极限的尺寸，且相移部的尺寸与非相移部的尺寸不同，透明基板上的包含相移部及非相移部在内的图案区域的大小是一边为300mm以上，至少在图案区域内不含未达到曝光装置分辨率极限的尺寸的遮光部。
相移相移掩模曝光装置分辨率抗蚀图案透明基板曝光装置图案区域图像显示装置邻接加工材相位差遮光部与非曝光赋予制造

[发明专利]相移掩模及使用该相移掩模的抗蚀图案形成方法-CN201811233403.5在审
发明人： 木下一树;飞田敦 -专利权人：大日本印刷株式会社
申请日： 2013-02-15 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： G03F1/34 文献下载
摘要：本发明提供一种可使用现有的图像显示装置制造用曝光装置，在透明基板等被加工材上，以高精度形成具有未达到该曝光装置分辨率极限的尺寸的给定抗蚀图案的相移掩模及使用该相移掩模的抗蚀图案形成方法。未达到曝光装置分辨率极限的设计尺寸的抗蚀图案形成用相移掩模具备：透明基板、对来自曝光装置的曝光的光赋予给定的相位差的相移部、以及邻接于相移部的非相移部，相移部及非相移部当中的至少任一者为未达到曝光装置分辨率极限的尺寸，且相移部的尺寸与非相移部的尺寸不同，透明基板上的包含相移部及非相移部在内的图案区域的大小是一边为300mm以上，至少在图案区域内不含未达到曝光装置分辨率极限的尺寸的遮光部。
相移相移掩模曝光装置分辨率抗蚀图案透明基板曝光装置图案区域图像显示装置邻接加工材相位差遮光部与非曝光赋予制造

[发明专利]相移掩模及使用该相移掩模的抗蚀图案形成方法-CN201380004907.9有效
发明人： 木下一树;飞田敦 -专利权人：大日本印刷株式会社
申请日： 2013-02-15 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： G03F1/34 文献下载
摘要：本发明提供一种可使用现有的图像显示装置制造用曝光装置，在透明基板等被加工材上，以高精度形成具有未达到该曝光装置分辨率极限的尺寸的给定抗蚀图案的相移掩模及使用该相移掩模的抗蚀图案形成方法。未达到曝光装置分辨率极限的设计尺寸的抗蚀图案形成用相移掩模具备：透明基板、对来自曝光装置的曝光的光赋予给定的相位差的相移部、以及邻接于相移部的非相移部，相移部及非相移部当中的至少任一者为未达到曝光装置分辨率极限的尺寸，且相移部的尺寸与非相移部的尺寸不同，透明基板上的包含相移部及非相移部在内的图案区域的大小是一边为300mm以上，至少在图案区域内不含未达到曝光装置分辨率极限的尺寸的遮光部。
相移使用图案形成方法

[发明专利]大型相移掩膜及大型相移掩膜的制造方法-CN201280062178.8有效
发明人： 木下一树;飞田敦;二岛悟 -专利权人：大日本印刷株式会社
申请日： 2012-12-21 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明提供一种在用于液晶面板或EL面板的制造的大型光掩膜中，适合形成微细图案的半透明相移掩膜的结构、及其制造方法。进而，提供一种抑制在利用半透明相移掩膜对图案进行曝光时出现的侧峰的产生的结构。在形成在透明基板上的半透明相移区域的两侧邻接地配置有透过区域的图案中，藉由将半透明相移区域的光透光率设为4％至30％的范围，将宽度设为1μm至5μm的范围，而实现改善曝光强度分布的对比度、同时抑制侧峰产生的结构。
大型相移制造方法

[发明专利]大型相移掩模及大型相移掩模的制造方法-CN201280051359.0在审
发明人： 木下一树;飞田敦;二岛悟 -专利权人：大日本印刷株式会社
申请日： 2012-10-19 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明提供一种作为曝光大尺寸区域的大型光掩模且适合形成微细图案的构成的相移掩模及其制造方法。藉由构成为遮光膜以铬或铬化合物为主成分，相移膜以氧化铬乃至氮氧化铬为主成分，且在上述遮光区域中在遮光膜上层叠有相移膜，而获得容易制造且可转印微细图案的大型相移掩模。另外，在遮光膜与相移膜之间，构成为还具有包含铬化合物的抗反射膜，抑制遮光区域的反射率。
大型相移制造方法

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