[发明专利]三维半导体存储器装置在审
| 申请号： | 202110296463.7 | 申请日： | 2021-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN114156276A | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 崔诚晧;金镇浩 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11573 | 分类号： | H01L27/11573;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种三维半导体存储器装置可以包括：单元晶圆，其包括源极板、多条第一字线和多条第二字线，多条第一字线沿着在垂直方向上从源极板的底表面突出的多个第一垂直沟道彼此间隔开地层叠，多条第二字线沿着在垂直方向上从源极板的顶表面突出的多个第二垂直沟道彼此间隔开地层叠；第一外围晶圆，其接合到单元晶圆的底表面，并且包括第一行解码器单元，该第一行解码器单元向多条第一字线传送操作电压；以及第二外围晶圆，其接合到单元晶圆的顶表面，并且包括第二行解码器单元，该第二行解码器单元向多条第二字线传送操作电压。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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