[发明专利]一种离子辅助、倾斜溅射、反应溅射沉积薄膜的方法及设备

摘要

本发明公开了一种离子辅助、倾斜溅射、反应溅射沉积薄膜的方法，包括如下步骤，运行参数的调试，编制迟滞回线菜单，首先确定基础参数，基础参数包括离子源电源功率和连接靶材的射频电源功率、脉冲电源功率、基片台倾斜角度、工艺气体压力、工艺气体流量变化和工艺时间，然后参数的设置，按照设置的参数运行，完成指定工艺时间，下载基片，本发明采用离子辅助、倾斜溅射、混频电源、基片冷却的反应溅射的方法及设备，克服现有氧化铝薄膜沉积速率低，对基片上3D结构的裹覆率不高、基片温度较高的缺点。