[发明专利]一种多层次立体化的MEMS器件抗冲击防护结构的制备方法在审
| 申请号： | 202110264919.1 | 申请日： | 2021-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN112938894A | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 曹慧亮;刘俊;石云波;唐军;申冲;赵锐;郭天琪 | 申请（专利权）人： | 中北大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 太原新航路知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14112 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 030051 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明涉及MEMS器件的抗冲击防护技术，具体是一种多层次立体化的MEMS器件抗冲击防护结构的制备方法。本发明解决了冲击过程中产生的应力波容易导致MEMS器件无法正常工作的问题。一种多层次立体化的MEMS器件抗冲击防护结构的制备方法，该方法是采用如下步骤实现的：步骤一：溅射第一金属电极层；步骤二：刻蚀形成硅凹槽；步骤三：将硅片的下表面与玻璃基底的上表面键合；步骤四：对硅片进行减薄；步骤五：释放MEMS器件的硅微结构；步骤六：刻蚀形成玻璃凹槽，刻蚀形成玻璃通孔；步骤七：将玻璃盖板的下表面与硅片的上表面键合；步骤八：溅射第二金属电极层；步骤九：包覆应力波内阻隔层；步骤十：包覆应力波外阻隔层。本发明适用于MEMS器件的抗冲击防护。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层次 立体化 mems 器件 冲击 防护 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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