[发明专利]一种多层次立体化的MEMS器件抗冲击防护结构的制备方法

说明书

本发明涉及MEMS器件的抗冲击防护技术，具体是一种多层次立体化的MEMS器件抗冲击防护结构的制备方法。本发明解决了冲击过程中产生的应力波容易导致MEMS器件无法正常工作的问题。一种多层次立体化的MEMS器件抗冲击防护结构的制备方法，该方法是采用如下步骤实现的：步骤一：溅射第一金属电极层；步骤二：刻蚀形成硅凹槽；步骤三：将硅片的下表面与玻璃基底的上表面键合；步骤四：对硅片进行减薄；步骤五：释放MEMS器件的硅微结构；步骤六：刻蚀形成玻璃凹槽，刻蚀形成玻璃通孔；步骤七：将玻璃盖板的下表面与硅片的上表面键合；步骤八：溅射第二金属电极层；步骤九：包覆应力波内阻隔层；步骤十：包覆应力波外阻隔层。本发明适用于MEMS器件的抗冲击防护。

技术领域

本发明涉及MEMS器件的抗冲击防护技术，具体是一种多层次立体化的MEMS器件抗冲击防护结构的制备方法。

背景技术

当MEMS器件应用于高冲击环境时，冲击过程中产生的应力波一方面容易导致MEMS器件的键合面发生分层，另一方面容易导致MEMS器件与外部引线之间的焊点发生断裂，由此一方面容易导致MEMS器件发生结构损坏，另一方面容易导致MEMS器件发生电气连接失效，从而容易导致MEMS器件无法正常工作。基于此，有必要发明一种多层次立体化的MEMS器件抗冲击防护结构的制备方法，以解决冲击过程中产生的应力波容易导致MEMS器件无法正常工作的问题。

发明内容

本发明为了解决冲击过程中产生的应力波容易导致MEMS器件无法正常工作的问题，提供了一种多层次立体化的MEMS器件抗冲击防护结构的制备方法。

本发明是采用如下技术方案实现的：

一种多层次立体化的MEMS器件抗冲击防护结构的制备方法，该方法是采用如下步骤实现的：

步骤一：选取玻璃基底，并在玻璃基底的上表面溅射第一金属电极层；

步骤二：选取硅片，并在硅片的下表面刻蚀形成硅凹槽；

步骤三：将硅片的下表面与玻璃基底的上表面键合；

步骤四：对硅片进行减薄；

步骤五：在硅片的上表面和硅凹槽的槽底之间刻蚀形成硅通孔，由此释放MEMS器件的硅微结构；

步骤六：选取玻璃盖板，并在玻璃盖板的下表面刻蚀形成玻璃凹槽，然后在玻璃盖板的上表面和下表面之间刻蚀形成玻璃通孔；

步骤七：将玻璃盖板的下表面与硅片的上表面键合；

步骤八：在玻璃通孔的孔壁和上端孔口边缘溅射第二金属电极层；

步骤九：在玻璃基底的下表面包覆由微叠层复合材料制成的应力波内阻隔层；

步骤十：在应力波内阻隔层的下表面和侧面、玻璃基底的侧面、硅片的侧面、玻璃盖板的侧面和上表面包覆由剪切增稠液体制成的应力波外阻隔层，并在应力波外阻隔层上开设与第二金属电极层位置对应的引线通孔，由此制得一种多层次立体化的MEMS器件抗冲击防护结构。

所述步骤一至步骤八的作用在于形成MEMS器件的敏感结构，其结构形式并不限于玻璃基底-硅微结构-玻璃盖板，也可为硅基底-硅微结构-硅盖板（只要包括基底、硅微结构、盖板即可）。