[发明专利]掺杂MXene的突触型薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202110262862.1 | 申请日： | 2021-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN113035946A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 曹一心;赵春;赵策洲;刘伊娜;杨莉 | 申请（专利权）人： | 西交利物浦大学 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L29/49;H01L29/786;H01L21/445;H01L21/34 |
| 代理公司： | 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人： | 叶栋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种掺杂MXene的突触型薄膜晶体管，其包括自下而上依次层叠设置的栅电极、衬底、绝缘层、金属氧化物半导体层、以及源电极和漏电极，绝缘层为掺杂MXene的高介电常数材料绝缘层，相比于传统工艺制作的突触型薄膜晶体管器件，绝缘层中掺杂的MXene带来了丰富的官能团使其有很强的吸引电子的能力，从而使沟道中产生很多电子陷阱，产生了更大的回滞，从而拥有更为优秀的突触特性；绝缘层中掺杂MXene使得突触型薄膜晶体管器件有着更大的弛豫时间，传统的薄膜晶体管的弛豫时间大约为数十毫秒，而掺杂了Mxene的突触型薄膜晶体管的弛豫时间为二百至三百毫秒，与生物突触在一个数量级，因此更适合模拟生物突触。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 mxene 突触 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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