[发明专利]一种基于磁控溅射氮化铝的氮化镓单结晶基板制造方法在审
| 申请号： | 202110260067.9 | 申请日： | 2021-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN113046712A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 山本晓;张海涛;刘良宏;许彬;庞博 | 申请（专利权）人： | 无锡吴越半导体有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;C30B23/02;C30B29/40 |
| 代理公司： | 北京华际知识产权代理有限公司 11676 | 代理人： | 刘秀颖 |
| 地址： | 214000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于磁控溅射氮化铝的氮化镓单结晶基板制造方法，包括四氧化镁铝钪(ScAlMgO |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 磁控溅射 氮化 结晶 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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