[发明专利]结晶装置和结晶方法无效

专利信息
申请号: 200310104558.6 申请日: 2003-10-31
公开(公告)号: CN1498989A 公开(公告)日: 2004-05-26
发明(设计)人: 谷口幸夫;松村正清 申请(专利权)人: 株式会社液晶先端技术开发中心
主分类号: C30B33/02 分类号: C30B33/02;H01L21/324;H01L21/477
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 王永建
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种结晶装置,它包括:一掩膜(1);以及一照明系统(2),该照明系统(2)利用一光束照射该掩膜,照明系统发出的光透过该掩膜时变成具有呈反向峰值图案的光强度分布的光束,并照射一多晶半导体膜或一非晶态半导体膜,由此产生一晶化半导体膜。该掩膜(1)包括一个光吸收层(1c),该吸收层(11c)具有与呈反向峰值图案的光强度分布相应的光吸收特性。
搜索关键词: 结晶 装置 方法
【主权项】:
1.一种结晶装置,它包括:一掩膜(1);以及一照明系统(2),该照明系统(2)利用一光束照射该掩膜,该照明系统发出的光透过该掩膜时变成具有呈反向峰值图案的光强度分布的光束,并照射一多晶半导体膜或一非晶态半导体膜,由此产生一晶化半导体膜,其特征在于,所述掩膜(1)包括一光吸收层(1c),该光吸收层(11c)具有与呈反向峰值图案的光强度分布相应的光吸收特性。
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  • 本发明属于CZT晶体改性领域,公开了一种抑制CZT晶体内部富碲夹杂缺陷及提高其电阻率的方法。本发明采用双温区独立控制的卧式退火炉与开管退火相结合的退火方法,并以铟和碲作为退火源,高于富碲夹杂熔点的温度作为退火温度,氮气作为保护气氛,一步完成碲锌镉晶体的退火和元素扩散掺杂处理,以较短的退火时间,实现抑制晶体内部富碲夹杂的同时提高其电阻率的目的。本发明无需焊管处理,操作工序少,石英管可以重复利用,退火周期短,避免了两步法退火繁琐的工艺,效率高成本低,是一种更具实用性的退火方法。
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