[发明专利]结晶装置和结晶方法无效

专利信息
申请号: 03809603.X 申请日: 2003-03-19
公开(公告)号: CN1650402A 公开(公告)日: 2005-08-03
发明(设计)人: 谷口幸夫;松村正清;山口弘高;西谷干彦;辻川晋;木村嘉伸;十文字正之 申请(专利权)人: 株式会社液晶先端技术开发中心
主分类号: H01L21/268 分类号: H01L21/268;H01L21/20
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 王英
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种结晶装置包括照射一块移相掩模版(1)的照明系统(2)和布置在所述移相掩模版和一层半导体膜(4)之间的光学路径中的图像形成光学系统(3)。用具有反向峰值图形部分的光强分布的光束照射所述半导体膜,所述光强分布的光强在对应于移相区的部分中最低以形成结晶半导体膜。该照明系统具有提供给定波长范围的光束的一个光源。所述图像形成光学系统设置成使所述移相掩模版和所述半导体膜光学地共轭,并具有对应于所述给定波长范围的像差,以形成在所述中间部分没有强度隆起的反向峰值图形部分的光强分布。
搜索关键词: 结晶 装置 方法
【主权项】:
1、一种结晶装置,包括:具有至少两个移相区的一块移相掩模版;发射给定波长范围的光束以照射所述移相掩模版的一个照明系统;以及布置在所述移相掩模版和一个待处理对象之间的光学路径中的一个图像形成光学系统,所述移相掩模版转换从所述照明系统发射的光束的强度图形,使其具有带有反向峰值图形部分的光强分布,所述反向峰值图形部分在对应于所述移相区的部分具有光强的最小峰值,并且所述移相掩模版向所述对象施加所述光束以使所述衬底结晶,其中所述移相掩模版和所述对象布置在所述图像形成光学系统的共轭位置上,以及所述图像形成光学系统具有对应于给定波长范围的像差,以便在所述对象上形成在所述反向峰值图形部分之间的中间部分没有强度隆起的波形图的光强分布。
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