[发明专利]一种半导体对准结构、制造方法及其掩膜版组在审
| 申请号： | 202110088411.0 | 申请日： | 2021-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN112786568A | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 陈宏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种半导体对准结构、制造方法及其掩膜版组，其制造方法通过在第一介质层中的第一通孔中形成第一插塞，第一插塞覆盖第一通孔的内壁，且第一插塞的厚度小于所述第一通孔的深度；在第一介质层和第一插塞上形成第一金属层，第一金属层的厚度以及第一插塞的厚度之和小于第一通孔的深度，使得所述第二插塞的底部是与介质层刻蚀选择比高的第一金属层，不易在第二插塞的边缘下陷而形成沟槽，避免了平坦度差的问题，且由于形成了第二插塞，提高了对位标记的准确度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 对准 结构 制造 方法 及其 掩膜版组 | ||
【主权项】：
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